IXYS IXFH 7 N80 / IXFM 7 N80 数据手册 IXFH 7 N80和IXFM 7 N80是IXYS生产的N沟道增强型功率MOSFET，具有高dv/dt、低trr和高功率密度等特点，适用于DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、开关电源等应用。
IXYS IXFK 32N60 IXFN 32N60 IXFK 36N60 IXFN 36N60 数据手册 该文件介绍了IXYS Corporation的产品特点和特性，包括国际标准封装、低RDS(on)、耐压性能等。
IXYS IXFK 27N80Q IXFR 27N80Q IXFX 27N80Q 数据手册 该文件介绍了IXYS公司的PLUS 247TM (IXFX)和TO-264 AA (IXFK)型号的HiPerFETTM功率MOSFET，这些产品具有低Qg、高dV/dt、低trr等特点。
IXYS IXFK 27N80 IXFK 25N80 IXFN 27N80 IXFN 25N80 数据手册 本文件为IXYS的25N80/27N80 MOSFET的Datasheet，主要介绍了该MOSFET的特点特性，应用场景和优势。
IXYS IXFK 26N60Q/IXFX 26N60Q 数据手册 该文件是关于IXFK 26N60Q IX 型号的N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Power MOSFETs的产品手册。主要特点包括低门控电荷、国际标准包装、环氧树脂满足UL 94 V-0、防火分类、低RDS（on）HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、雪崩能量和电流额定、快速本征整流器等。
IXYS IXFK 24N90Q / IXFX 24N90Q 数据手册 PLUS 247TM是一款单MOSFET晶圆，具有低Qg、低trr、高频开关性能。适用于DC-DC转换器、电池充电器、开关模式电源等应用。
IXYS IXFK 24N120Q2 / IXFX 24N120Q2 数据手册 该文件介绍了IXYS公司于2004年生产的HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括低门极电阻、国际标准封装、UL 94 V-0级阻燃等。此外，该产品具有耐冲击能量和电流、快速内部整流器等优点。
IXYS IXFK33N50/IXFK35N50 数据手册 IXFK33N50 / IXFK35N50 MOSFET 是 IXYS 公司生产的一款高性能功率器件，它采用国际标准封装，具有低RDS(on)、高功率密度、易于安装等特点。
IXYS IXGH 10 N100U1 IXGH 10 N100AU1 数据手册 IXGH 10 N100U1是IXYS公司生产的一款IGBT与肖特基二极管的组合器件，封装形式为TO-247 AD，其最大电压为1000V，最大电流为20A，典型导通压降为3.5V。
IXYS IXGH10N60U1 IXGH10N60AU1 数据手册 该文档介绍了IXYS的产品特点和特性，包括国际标准封装、集成IGBT和反并联FRED、第二代HDMOSTM工艺、低VCE(sat)、MOS门极驱动、快速恢复外延二极管FRED等。适用于交流电机调速控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、不间断电源(UPS)、开关模式和谐振模式电源。
IXYS IXGH 12N60B 数据手册 HiPerFASTTM IGBT是XYS公司生产的一款中频IGBT，它具有新一代HDMOSTM工艺，国际标准封装JEDEC TO-247，高峰电流处理能力，适用于PFC电路、AC电机速度控制、DC伺服和机器人驱动、开关模式和谐振模式电源等应用场景。
IXYS IXGH 12N60CD1 数据手册 IXGH 12N 是 IXYS 公司生产的一款高频 IGBT，其最大电压为 600V，最大电流为 24A，典型开关时间为 55ns。该产品具有高频率、高功率密度、高峰值电流处理能力等特点，适用于 PFC 电路、AC 电机速度控制、DC 伺服和机器人驱动、开关模式和谐振模式电源以及高功率音频放大器等应用。
IXYS IXGH 16N170A IXGT 16N170A 数据手册 本文介绍了IXYS的产品特点和特性，包括高电流处理能力、MOS门极转换的简易性、坚固的NPT结构等。适用于电容器放电和脉冲电路、交流电机调速控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、不间断电源、开关模式和谐振模式电源等应用。
