IXYS IXTP 1R6N50P/IXTY 1R6N50P 说明书 IXTP 1R6N50P是IXYS生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET，其主要特征包括国际标准封装、不加钳电感开关(UIS)额定、低封装电感，易于驱动和保护。
IXYS IXTU 01N100, IXTY 01N100 数据手册 01N100是IXYS公司生产的一款高压MOSFET，其特点是采用国际标准封装JEDEC TO-251 AA，具有低RDS(on)、坚固的聚硅栅极单元结构和快速开关时间。
IXYS IXTQ 69N30P, IXTT 69N30P 数据手册 IXTQ 69N30P is a N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET with VDSS = 300 V, ID25 = 69 A and RDS(on) = 49 mΩ. It features international standard packages, unclamped inductive switching (UIS) rating and low package inductance.
IXYS IXTQ 64N25P/IXTT 64N25P 说明书 IXTQ 64N25P是IXYS生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，其最大额定电压为250V，最大电流为64A，典型RDS(on)为48mΩ。
IXYS IXTQ 36N50P/IXTT 36N50P 说明书 该文档介绍了IXYS生产的PolarHVTM Power MOSFET IXTQ 36N50P的特点和特性，包括国际标准封装、无钳位感应开关（UIS）评级、低封装电感等。
IXYS IXTH 30N60P, IXTQ 30N60P, IXTT 30N60P, IXTV 30N60P, IXTV 30N60PS 数据手册 30N60P是IXYS公司生产的一款N沟道增强型雪崩额定功率MOSFET，其最大电压为600V，最大电流为30A，导通电阻小于240mΩ。产品具有快速恢复二极管、无钳位感性开关(UIS)额定、国际标准封装、低封装电感等特点。
IXYS IXTU 01N80/IXTY 01N80 说明书 IXTU01N80是IXYS公司生产的一款高压MOSFET，其特点是具有国际标准的JEDEC TO-251 AA、TO-252 AA封装，低RDS(on) HDMOSTM工艺，坚固的多晶硅栅极单元结构和快速的开关时间。
IXYS VUO 105 Data Sheet 该文档是关于 IXYS VUO 105-12NO7 1200V 140A 桥式整流器的数据手册，主要介绍了该产品的特点特性，包括最大电流、额定电压、封装方式、阻抗、额定电流等。
IXYS IXGH20N30 数据手册 ixys IXGH20N30是一款高功率密度、高开关速度的igbt，适用于ac电机速度控制、dc伺服和机器人驱动、dc斩波器、ups、开关模式和谐振模式电源等应用。
IXYS DSS 25-0025B 数据手册 DSS 25-0025B是IXYS生产的肖特基整流器，具有国际标准封装、非常低的VF、极低的开关损耗、低IRM值、环氧树脂符合UL 94V-0。应用于开关电源中的整流器（SMPS）和低压转换器中的自由轮转二极管。
IXYS IXFH/IXFM21N50, IXFH/IXFM/IXFT24N50, IXFH/IXFT26N50 HiPerFET Power MOSFETs 21N50, 24N50, 26N50 是 IXYS 公司的 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family 系列产品，具有低 RDS(on) HDMOSTM 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、未箝位感应开关 (UIS) 额定、低封装电感-易于驱动和保护、快速固有整流器等特点。
