IXYS 说明书 - 说明书库

IXYS IXTH14N100 说明书

该文件介绍了IXYS的N沟道增强型MegaMOSTMFET产品的特点和特性，包括最大额定值、测试条件、特性数值等。

ixth/ixtm 6 n80/6 n80a 是 ixys 生产的一款功率 mosfet，具有低 rds(on)、hdmostm 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、低封装电感（<5 nH）等特点

IXTQ 82N25P是IXYS的一款N沟道增强型功率MOSFET，其特点是采用国际标准封装，具有无钳位感应开关(UIS)额定值，封装电感低，易于驱动和保护。

IXTK 62N25是一款高电流N通道增强型MOSFET，具有低RDS(on)、坚固的聚硅栅极单元结构、国际标准封装、快速切换时间等特点，适用于电机控制、DC斩波器、开关电源等应用场合。

IXTK 33N50是IXYS公司生产的一款大功率N沟道增强型MOSFET，其最大导通电流为33A，最大漏源电压为500V，开关速度快，应用于电机控制、DC斩波器、不间断电源供应(UPS)、开关电源和谐振电源等领域。

该文件是关于IXYS公司的产品技术信息，介绍了其特点和性能参数。该产品采用低RDS (on) HDMOSTM工艺，具有坚固的多晶硅栅电池结构，适用于电机控制、直流斩波器、开关电源、直流-直流转换器和线性稳压器等应用领域。

该文件介绍了IXYS的IXTK和IXTN系列N沟道增强型MOSFET产品的特点和特性。

该数据表是关于IXTK 180N15 的技术参数，包括最大电压、最大电流、最小电阻等。

IXTK 140N20P是一种高性能N沟道增强型功率MOSFET，其最大电压可达200V，最大电流可达140A。它具有国际标准封装、无钳位感性开关(UIS)额定、低封装电感等特点，易于驱动和保护。

这是一个关于IXTK 120N25 VDSS = 250 V ID25 = 120 A 产品的技术文档，介绍了该产品的特点特性，包括低 RDS（on）HDMOSTM 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、国际标准封装、快速切换时间等。

该数据表提供了7P50和8P50 P通道增强型击穿型标准功率MOSFET的最大额定值、特征值、特性、应用和优势。

该数据表提供了IXTH11P50N的规格，包括最大额定值、特性值、特性曲线、封装和引脚图等。

该文件介绍了IXYS公司生产的TO-204 AA (IXTM)和TO-247 AD (IXTH)型号的N沟道增强模式功率MOSFET。产品具有低RDS(on)、坚固的多晶硅栅电池结构、低包装电感等特点。适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源和直流斩波器等应用。

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这是一款 N-Channel Enhancement Mode 的 MOSFET，其最大电压为 100V，最大电流为 110A，典型阻抗为 15 mΩ。