IXYS IXTA 1N100 IXTP 1N100 说明书 该文件介绍了 IXYS 公司生产的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 产品的特点和特性，包括高电压、低 RDS(on)、坚固的多晶硅栅结构、快速开关时间等。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、飞回式逆变器、直流斩波器、高频匹配等应用。
IXYS IXTQ 180N055T/IXTA 180N055T/IXTP 180N055T 数据手册 该文件介绍了IXYS公司2005年生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET产品的特点和特性，包括国际标准封装、无钳位感应开关、低封装电感等。该产品易于安装，节省空间，具有高功率密度。
IXYS IXTQ 110N055P/IXTA 110N055P/IXTP 110N055P 数据手册 本文件为IXTQ 110N055P的datasheet，主要介绍了该产品的最大电压、额定电流、漏极电流、栅极-源极电压、漏极-源极电压、栅极-源极电流、漏极-源极电阻等参数。
IXYS IXTH 12N90/IXTM 12N90 数据手册 IXTH 12N90是一款TO-247封装的N沟道增强型MOSFET，其最大电压为900V，最大电流为12A，开关时间快，适用于开关电源、逆变器等应用。
IXYS IXTN 58N50，IXTN 61N50 数据手册 这份文件介绍了IXYS公司的高电流功率MOSFET产品。产品特点包括国际标准封装、3000V的隔离电压、低RDS（on）值、坚固的多晶硅栅结构、低漏极-壳体电容和低封装电感等。该产品适用于各种应用领域。
IXYS IXTH / IXTM 5N100，IXTH / IXTM 5N100A 数据手册 5N100 和 5N100A 是 IXYS 生产的 N 沟道增强型标准功率 MOSFET，具有国际标准封装、低 RON、高可靠性等特点。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源 (UPS) 和 DC 斩波器等应用。
IXYS 该文件介绍了IXYS公司的IXTH 50P10标准功率MOSFET产品的特点和特性，包括国际标准封装、低RDS(on)值、坚固的多晶硅栅电池结构、抗击穿能力强、低封装电感等。该产品适用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备等应用领域，具有易于安装、节省空间和高功率密度的优点。
IXYS IXTH 50N20/IXTM 50N20 说明书 该文件介绍了IXYS公司的MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括国际标准封装、低导通电阻、坚固的多晶硅栅电池结构、低封装电感、快速开关时间等。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源和直流斩波器等应用。
IXYS IXTH 35N30/IXTH 40N30/IXTM 40N30 说明书 IXTH 35N30/40N30/40N30 MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET器件，最大工作电压300V，最大电流35A/40A/40A，开关时间快，应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。
IXYS IXTH 24P20 数据手册 该文件是IXYS公司生产的一种标准功率MOSFET产品的规格说明书。该产品是一种P通道增强型MOSFET，具有200V的耐压、24A的电流承受能力和0.15Ω的导通电阻。其特点包括国际标准封装、低导通电阻、耐压能力强、易于驱动和保护等。适用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器和自动测试设备等应用。
IXYS IXTH / IXTM 21N50 数据手册 IXTH / IXTM 21N50 和 24N50 是 IXYS 公司的 MegaMOSTMFET N 沟道增强型 MOSFET，最大电压为 500 V，最大电流为 21 A 和 24 A，最大功率为 300 W。
IXYS IXTH 16P20 说明书 该文件介绍了IXYS的一款P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Standard Power MOSFET（IXTH 16P20），具有国际标准封装、低RDS(on)、坚固的多晶硅栅极单元结构、无限电感开关（UIS）等特点。
IXYS IXTH 15N70 数据手册 该文件介绍了IXYS Corporation的MegaMOSTMFET N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性。这款晶体管具有700V的最大耐压、15A的最大电流、0.45Ω的开态电阻、低RDS(on)值等。它适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源等应用领域。
