IXYS DSA 20 C 100 PN 数据手册 DSA 20 C 100 PN是一款高性能肖特基二极管，具有非常低的Vf、极低的开关损耗、低的Irm值、改进的热性能、高可靠性的电路操作、低电压峰值和低噪声开关。
IXYS DSA 30 C 45 HB 说明书 该文件介绍了DSA 30 C 45 HB高级肖特基二极管的符号定义、额定参数、特点和优势以及应用领域。该二极管具有非常低的Vf、极低的开关损耗、低的Irm值、改进的热行为、高可靠性电路操作、降低保护电路的低电压峰值和低噪音开关等特点。
IXYS IXFH/IXFT 24N50Q 、IXFH/IXFT 26N50Q 说明书 该数据表格介绍了IXFH/IXFT型号的N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt MOSFET产品的特性参数，包括额定电压、最大电流、导通电阻等。
IXYS MegaHertz Switching HiPerRF ower MOSFETs 数据手册 IXFX PLUS 247TM 是 IXYS 推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低栅极电阻、高 dV/dt 和低 trr 等特点，适用于 DC-DC 转换器、开关模式和谐振模式电源、DC 斩波器和脉冲电源等应用。
IXYS IXFX 21N100F/IXFK 21N100F PLUS 247TM是XYS公司生产的一款高频开关功率MOSFET，具有低Qg、低Rg、高dV/dt、低trr等特点，适用于DC-DC转换器、开关电源、斩波器等应用。
IXYS SEMICONDUCTOR - 2006 IXYS All rights reserved G D S G = Gate D = Drain S = Source TAB = Drain DS99599E(07/06) 说明书 该产品是一款N沟道增强型快恢复二极管，其特点是具有快速恢复二极管、无钳位感性开关（UIS）额定、国际标准等
IXYS IXFR 180N10 数据手册 ISOPLUS247TM G D HiPerFETTM 功率 MOSFET 是 IXYS 公司生产的一种功率 MOSFET，具有高功耗、低漏电流、高开关速度等特点。该产品适用于 DC-DC 转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC 斩波器、交流电机控制等领域。
IXYS SEMICONDUCTOR DSA 20 C 150PN 说明书 DSA 20 C 150PN 是一款高性能肖特基二极管，具有低损耗和软恢复特性。它可以用于开关电源的整流器和低压转换器的自由轮动二极管中。
IXYS SEMICONDUCTORDSA 90 C 200HB 数据手册 DSA 90 C 200HB 是一种高性能肖特基二极管，具有低损耗和软恢复功能。它具有非常低的Vf、极低的开关损耗、低的Irm值、改进的热性能、高可靠性的电路操作、低电压峰值以减少保护电路、低噪声开关和低损耗。
IXYS SEMICONDUCTOR IXYS Adds High Power Versions of its PolarHTTM PolarHVTM Power MOSFETs with Up to 140A of Current Handling Capability 说明书 IXYS Corporation推出了新的高电流PolarHT和PolarHV功率MOSFET，为基于IXYS PolarHT/HV技术的广泛高功率转换应用带来了更多的设计灵活性。这些新的功率MOSFET体现了IXYS Corporation在高电流、高电压功率转换市场的领导地位。IXYS提供了多种新型的高电流PolarHT/HV功率MOSFET。电压范围从300V到800V，电流高达140A。这些功率MOSFET提供多种不同的封装，包括标准的TO-264和各种IXYS ISOPLUSTM封装，其中提供了背面封装绝缘。这些新器件都经过了HiPerFET™处理，产生了具有低Qrr和增强的dV/dt耐用性的功率MOSFET。
