三星 说明书

三星 K4S511633C-YL/N/P CMOS SDRAM 说明书(1)

K4S511633C-YL/N/P是一款32Mx16 54CSP 1/CS (VDD/VDDQ 3.0V/3.0V or 3.3V/3.3V) Mobile SDRAM，采用3.0V电源供电，LVCMOS兼容多路复用地址，支持四路银行操作，MRS周期带有地址键编程。

三星 K4S511633F-Y(P)C/L/F Mobile-SDRAM 说明书(1)(1)

K4S511633F是三星生产的高性能CMOS动态随机存储器，采用同步设计，可实现精确的时序控制，并支持多种高带宽、高性能内存系统应用。该器件具有多种操作频率、可编程突发长度和可编程延迟，可在各种应用中使用。

三星 K4S511633F-Y(P)C/L/F Mobile-SDRAM 说明书(1)

K4S511633F-Y(P)C/L/F 是由三星公司制造的536,870,912 位同步高速数据率动态随机存储器，组织为 4 x 8,388,608 字节，由 16 位组成。该器件具有高频率、可编程突发长度和可编程延迟，可用于各种高带宽、高性能存储系统应用。

三星 K4S51153LF - Y(P)C/L/F Mobile SDRAM 说明书

K4S51153LF是一种移动SDRAM，具有2.5V/2.5V或2.5V/1.8V的电压，适用于LVCMOS和多路复用地址。具有四个存储区，支持MRS和EMRS循环程序，并具有特殊功能支持。该产品具有部分阵列自刷新和温度补偿自刷新功能，还支持掩码和自动刷新等特性。

三星 K4S51163PF-Y(P)F Mobile-SDRAM 说明书(1)(1)

K4S51163PF是一款由三星生产的高性能动态随机存储器，采用同步设计，可以通过系统时钟精确控制周期，并可以在每个时钟周期进行I/O事务。该产品的频率范围、可编程突发长度和可编程延迟使其能够用于各种高带宽和高性能内存系统应用。

三星 K4S51163PF-Y(P)F Mobile-SDRAM 说明书(1)

K4S51163PF-Y(P)F是三星公司生产的一款同步高数据速率动态内存，组织方式为4 x 8,388,608 words by 16 bits，带有可编程突发长度和可编程延迟，适用于各种高带宽和高性能内存系统应用。

三星 K4S513233F - M(E)C/L/F Mobile SDRAM 说明书(1)(1)

该文件介绍了K4S513233F的特点特性，包括供电电压、接口兼容性、操作频率、操作温度等。

三星 K4S513233F - M(E)C/L/F Mobile SDRAM 说明书(1)

K4S513233F - M(E)C/L/F是三星公司生产的一款移动存储器，它支持3.0V和3.3V电源，LVCMOS兼容多路复用地址，支持四个银行操作，支持MRS周期和地址键程序。

三星 K4S51323LF - M(E)C/L/F Mobile SDRAM 说明书

本文件是K4S51323LF的详细资料，详细介绍了该产品的特点特性。

三星 K4S561633C-R(B)L/N/P 16Mx16 SDRAM 54CSP 说明书

K4S561633C-R(B)L/N/P是三星公司生产的一种同步动态随机存储器（SDRAM），它具有4M×16位×4个银行的存储容量，工作电压为3.0V或3.3V，工作温度范围为-25℃~85℃。该器件具有四个银行操作、MRS周期、CAS延迟、突发长度、突发类型、自刷新、64ms刷新周期等功能。

三星 16Mx16 SDRAM 54CSP CMOS SDRAM 说明书

K4S561633C-R(B)L/N/P是三星推出的一款4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM，采用54CSP封装，支持3.0V/3.0V和3.3V/3.3V两种电压供电。该芯片具有四个银行操作、MRS周期、地址键程序、延迟周期、突发长度和突发类型等功能，支持自动刷新。

SAMSUNG K4S561633F - X(Z)E/N/G/C/L/F

K4S561633F是一种268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，组织为4 x 4,196,304字16位，采用三星的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制，并且I/O事务可以在每个时钟周期上进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一器件在各种高带宽、高性能存储系统应用中发挥作用。

三星 K4S56163PF - R(B)G/F 说明书(1)(1)

K4S56163PF是三星公司生产的一种低功耗、高性能的同步动态随机存储器(SDRAM)，它采用了4 x 4,196,304字节×16位的高性能CMOS技术，可在-25°C~70°C的商业温度范围内工作，也可在-25°C~85°C的扩展温度范围内工作。

三星 K4S56163PF - R(B)G/F 说明书(1)

K4S56163PF为三星生产的268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，组织形式为4 x 4,196,304字节×16位，采用三星高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确控制周期，并且可以在每个时钟周期进行I/O事务。可编程的操作频率、可编程的突发长度和可编程的延迟允许同一设备在各种高带宽和高性能内存系统应用中使用。

三星 K4S56163LF - X(Z)E/N/G/C/L/F 说明书(1)(1)

该文档介绍了K4S56163LF型号的移动SDRAM产品的特点和特性，包括2.5V电源供应、LVCMOS兼容的多路复用地址、四个存储区操作、MRS循环和EMRS循环等功能。