三星 K4S56163LF - X(Z)E/N/G/C/L/F 说明书(1) 该文件介绍了鼎好公司的K4S56163LF型号移动SDRAM产品的特点。该产品采用2.5V电源供应，与多路复用地址兼容，具有四个存储区操作。该产品支持CAS延迟、突发长度和突发类型的设置，具有特殊功能支持，如部分阵列自刷新和温度补偿自刷新等。该产品适用于高带宽、高性能内存系统应用。
三星 K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书(1)(1) 该文件介绍了K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F型号的移动SDRAM产品的特点和特性，包括3.0V和3.3V电源供应、LVCMOS兼容性、四个存储区域操作、MRS和EMRS循环等。
三星 K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书(1) K4S641633H是三星公司生产的一种带有动态随机存取内存（DRAM）的存储器，它具有3.0V和3.3V的供电电压，支持四个银行操作，支持1、2、3、4、8、Full Page等多种突发长度，还支持顺序和交错两种突发类型。该产品具有特殊功能支持，包括部分阵列自刷新（PASR）和内部温度补偿自刷新（TCSR），并且支持DQM掩码和自动刷新。该产品的商业温度范围为-25°C至70°C，扩展温度范围为-25°C至85°C。该产品采用54Balls FBGA封装，引脚间距为0.8mm，带有引线（-RXXX）和无铅（-BXXX）两种封装类型。
三星 K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书 K4S64163LH-R(B)E/N/G/C/L/F是三星生产的一种移动内存，它采用了高性能的CMOS技术，具有2.5V的电源供应、4个银行操作、MRS周期和EMRS周期等特点。
三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1) K5L5628JT(B)M是三星推出的一款256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM
三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1)(1) K5L5628JT(B)M 是三星公司生产的一款 256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM ，工作电压为 1.7V 到 1.95V ，工作温度为 -30°C ~ 85°C 。
三星 K5P2880YCM - T085 数据手册 K5P2880YCM是三星公司生产的一款集成128Mbit Nand Flash和8Mbit full CMOS SRAM的Multi ChipPackage Memory，单电源供电3.0V，支持528-byte page program，16K-byte block erase，读取速率50ns。
三星 K5P2880YCM - T085 数据手册(1) 该文档介绍了鼎好公司的K5P2880YCM - T085型号的多芯片封装存储器产品。该产品包含128M位（16Mx8）Nand闪存和8M位（1Mx8/512Kx16）全CMOS SRAM。闪存具有高速的编程和擦除性能，而SRAM则具有高容量和低功耗的特点。
SAMSUNG K5T6432YT(B)M 数据手册(1) 这是一个Multi-Chip Package MEMORY 64M Bit (4Mx16) Four Bank NOR Flash Memory / 32M Bit (2Mx16) UtRAM的技术手册，详细介绍了该产品的特点特性。
SAMSUNG SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)(1) K4S640432H / K4S640832H / K4S641632H是Samsung Electronics生产的64Mb H-die CMOS SDRAM芯片。
SAMSUNG SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) 数据手册(1) 该文件介绍了三星电子的SDRAM 64Mb H-die产品规格，包括不同接口和封装的型号，以及其高性能CMOS技术和同步设计的特点。
SAMSUNG K4S640832K 数据手册 本文件是关于K4S640832K Synchronous DRAM Rev. 1.1 February 2006 的技术规格说明书，包含了该产品的各种参数信息。
