SAMSUNG K4S280432D 数据手册(1) 该文件是关于 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL 的技术资料，详细介绍了产品的特点特性。
三星 128Mb E-die SDRAM Specification 说明书 该文档介绍了三款SDRAM产品，分别为K4S280432E、K4S280832E和K4S281632E。它们都是由三星电子采用高性能CMOS技术制造的同步高速动态RAM。这些产品具有精确的周期控制和可编程的传输长度和延迟时间，适用于各种高带宽、高性能的内存系统。
SAMSUNG SDRAM 128Mb F-die (x4, x8, x16)数据手册 本文件是一份关于K4S280432F/K4S280832F/K4S281632F的技术规格说明书，介绍了该产品的特点特性，包括存储容量、接口、封装等信息。
SAMSUNG K4S280432M 数据手册(1) K4S280432M CMOS SDRAM 是128Mbit SDRAM，组织为4 x 8,388,608 words by 4 bits，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术。
SAMSUNG K4S280432M 数据手册(1)(1) K4S280432M是SAMSUNG生产的一款8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM，采用LVTTL电源，工作频率范围为66MHz-125MHz，支持1-8页突发长度和2-3个CAS延迟。
SAMSUNG K4S280832A 数据手册 K4S280832A是三星128Mbit SDRAM，采用4 x 4,194,304 words by 8 bits的组织方式，采用SAMSUNG高性能CMOS技术制造。该器件支持多种操作频率、可编程突发长度和可编程时序，可用于多种高带宽、高性能存储系统应用。
SAMSUNG K4S280832A 数据手册 K4S280832A是一种128Mbit同步高数据速率动态随机存取存储器(SDRAM)，以4 x 4,194,304字节x 8位组织，由三星的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期上发生。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一个器件用于各种高带宽、高性能内存系统应用。
