K4S281632M是134,217,728位同步高数据速率动态随机存储器，以4 x 2,097,152字节x 16位组织，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期上进行。工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许相同设备在各种高带宽、高性能内存系统应用中发挥作用。
K4S283233F is a 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 32 bits, fabricated with SAMSUNG’s high performance CMOS technol- ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock and I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst lengths and programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth and high per- formance memory system applications.
K4S560432E / K4S560832E / K4S561632E是268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，以4 x 16,785,216 / 4 x 8,392,608 / 4 x 4,196,304字节组织为4位，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期中进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备用于各种高速应用。
K4S643232C是一款67,108,864位同步高数据速率动态随机存储器，由4 x 524,288个字和32位组成，使用SAMSUNG高性能CMOS技术制造。同步设计允许通过使用系统时钟进行精确的周期控制。I/O交易可以在每个时钟周期上进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许相同的设备用于各种高带宽、高性能存储器系统应用。
