MITSUBISHI MGFC40V3742 说明书 MGFC40V3742是射频功率放大器中的高性能器件，其具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真特性，适用于3.7-4.2GHz频段的功率放大器和数字无线电通信等应用。
MITSUBISHI MGFC39V7785A 说明书 MGFC39V7785A 7.7 – 8.5 GHz BAND / 8W是东芝推出的一款功率FET，它具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率等特点，适用于7.7 - 8.5 GHz频段的功率放大器和数字无线通信。
MITSUBISHI MGFC39V7177A 说明书 MGFC39V7177A是一种C波段的内部匹配功率GaAs FET，特别设计用于7.1-7.7 GHz频段放大器。金属陶瓷封装保证了高可靠性。该产品具有A类工作，内部匹配到50欧姆系统，高输出功率P1dB=8W（典型值），高功率增益GLP=8.0dB（典型值），高功率增益效率P.A.E.=28%（典型值），低失真。适用于7.1-7.7 GHz频段的功率放大器和数字无线通信。
MITSUBISHI MGFC39V6472A 说明书 MGFC39V6472A是一种内部匹配的高功率GaAs FET，专为在6.4-7.2 GHz频段放大器中使用。该产品具有高输出功率、高功率增益、高功率增益效率和低失真等特点。
MITSUBISHI MGFC39V4450A 说明书 MGFC39V4450A 4.4 – 5.0 GHz BAND / 8W是飞凯半导体生产的一款内部匹配的GaAs功率FET，该器件具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率，可应用于4.4 – 5.0 GHz 频段功率放大器
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC38V6472 说明书 MGFC38V6472是一种内部匹配的GaAs功率FET，特别设计用于6.4-7.2 GHz频段放大器。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC38V5867 说明书 MGFC38V5867是内阻匹配的GaAs功率FET，专为5.8–6.75 GHz带宽放大器而设计。金属陶瓷封装保证了高的可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V7785A 说明书 MGFC36V7785A是一种用于7.7-8.5 GHz带放大器的内部匹配的GaAs功率FET。该产品具有A类工作，内部匹配到50欧姆系统，高输出功率，高功率增益，高功率添加效率和低失真等特点。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V7177A 说明书 MGFC36V7177A是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为7.1-7.7 GHz频段放大器而设计。该器件采用密封金属陶瓷封装，可保证高可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V5867 说明书 MGFC36V5867是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为5.8-6.75GHz频段放大器而设计。该产品具有高可靠性，采用金属陶瓷封装，可满足Class A工作条件。
