三菱说明书

MITSUBISHI ELECTRIC MGFL48V1920 说明书

MGFL48V1920是一款60W的推挽型GaAs功率FET，特别设计用于1.9-2.0 GHz频段放大器。密封的金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFL45V1920A是松下公司生产的一款功率场效应晶体管，适用于1.9-2.0GHz频段功放应用，具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真等特点

该产品为MGFS45B2527B，是一款2.5 - 2.7 GHz频段的30W功率GaAs FET，内部阻抗匹配，采用金属陶瓷封装，可保证高可靠性。其特点包括：Class AB工作模式、内置50(ohm)系统匹配、高输出功率、高功率增益、低失真等。

MGF1801BT是N沟道肖特基栅极、中功率GaAs FET，用于S至X波段放大器和振荡器。该器件具有较高的线性功率增益和较高的P1dB。

该文件介绍了MGF1801B高功率GaAs FET，适用于S到X波段放大器和振荡器。具有高线性功率增益和高P1dB。适用于S到X波段中功率放大器和振荡器。

MGF1601B是N沟道肖特基栅极的中功率GaAs FET，设计用于S到X频段放大器和振荡器。该设备具有高线性功率增益和高P1dB，适用于微带电路。

该文档介绍了MGF0917A GaAs FET，它是一种高功率增益级放大器，适用于UHF频段放大器。它具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率等特点。

MGF0916A 是 L&S BAND / 0.2W SMD non - matched 系列的产品，它的特点是高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

MGF0912A是一种高功率GaAs FET，用于L/S波段放大器。具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率。适用于L/S波段功率放大器。

MGF0906B是N通道肖特基栅极的GaAs FET，设计用于UHF频段放大器。该器件具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。可用于UHF频段功率放大器。

该文件介绍了MGF0905A高功率GaAs FET，它适用于UHF频段放大器，具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率的特点。

MGF0904A 是用于 UHF 频段功率放大器的 GaAs FET。其特征为高输出功率 (Po=28.0dBm)、高功率增益 (Gp=13.0dB) 和高功率附加效率 (P.A.E =40%)。

MGF4851A是三菱电机生产的一款功率型InGaAs HEMT，应用于S到K波段放大器，具有高增益和高P1dB，典型值分别为11dB和14.5dBm。

MGF2445A是三菱电气推出的一款S到Ku波段的功率GaAs FET，具有高输出功率和高线性功率增益，可用于S到Ku波段功率放大器。

MGF2430A 是 Mitsubishi Electric 公司生产的一款高功率 GaAs FET，适用于 S 到 Ku 波段放大器。MGF2430A 具有高输出功率、高线性功率增益和高功率附加效率。