ASI ULBM10 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书
ULBM10是ASI公司设计的一款NPN硅RF功率晶体管，具有Omnigold金属化系统、最大电流IC为2.5A、最大集电极-发射极反向电压VCBO为36V、最大集电极-发射极开路电压VCEO为16V、最大集电极-发射极反向电压VCES为36V、最大发射极-基极反向电压VEBO为4.0V、最大功耗PDISS为58W，工作温度范围为TJ-65℃至+200℃、储存温度范围为TSTG-65℃至+150℃，热阻θθJC为7.0℃/W。
厂商: ASI
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上传时间: 2012-06-11 15:19:00
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