ASI说明书大全

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该文件介绍了ASI SD1006型号的高频晶体管的特点和特性，适用于通用放大器应用。

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本文件是ASI UML1T的PDF数据表。

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该文档是ASI UML3的规格书，介绍了产品的特点和特性。

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ASI UML5是设计用于高频电源应用的NPN硅功率晶体管。它具有Omnigold™金属化系统，最大电流为10 A，最大电压为60 V和35 V，最大功率损耗为140 W，结温范围为-65°C至+200°C。

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该文档介绍了ASI UML15型号的NPN硅射频功率晶体管的特性和性能参数。

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这是一款由A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.生产的UML25F功率晶体管的数据表。该晶体管具有65 V的BVCBO、65 V的BVCES、35 V的BVCEO、4.0 V的BVEBO、1.0 mA的ICBO、5.0的hFE、30 pF的Cob、10的PG和60 dB的ηηD。

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UML70是ASI公司设计的NPN硅RF功率晶体管，该晶体管具有内部输入匹配网络和Omnigold金属化系统，最大电流为8.0A，最大电压为60V，最大功率为140W。

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UML100是一款高功率NPN硅射频功率晶体管，专为225至400兆赫兹军事通信设备中的高功率类C放大器而设计。

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VFT150-28是一款N通道增强型VHF功率MOSFET，额定电流为16A，额定电压为65V，额定功率为300W。该器件采用Omnigold™金属化系统，具有10:1负载VSWR能力和10dB典型增益。

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VFT5-28SL是一款N通道增强型VHF功率MOSFET，专为在250MHz以下频率工作的产品而设计。

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VFT15-28是用于175MHz以下的一般用途的B类功率放大器应用的N沟道增强型MOSFET。

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该文件介绍了VFT30-28型号的金属化N沟道增强型MOSFET，适用于28VDC大信号应用，最高频率可达400MHz。

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VFT80-28是N通道增强模式VHF功率MOSFET，设计用于175 MHz以下的通用B类功率放大应用。该器件具有PG = 10 dB典型值和30:1负载VSWR能力。

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VFT80-28是N沟道增强模式的VHF功率MOSFET，额定电压为60V，额定电流为10A。具有10:1负载VSWR能力和Omnigold™金属化系统。

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VFT300-28是用于宽带高功率VHF放大器应用的N沟道增强型硅VHT功率MOSFET。

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ASI UML1SL 是 Advanced Semiconductor Inc. 生产的一款 NPN 硅 RF 功率晶体管。其最大电流为 2.0 A，最大集电极-发射极反向电压为 45 V，最大发射极-集电极反向电压为 25 V，最大发射极-基极反向电压为 3.5 V。

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UML1是NPN硅RF功率晶体管，具有以下特点：Omnigold™金属化系统，最大电流2.0A，最大电压45V，最大功率31.8W，封装方式为4L STUD

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