ASI说明书大全
ASI MLN1030F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册
这是一款来自ASI的MLN1030F型号的NPN硅射频功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统、500mA的最大电流、20V的最大集电极-发射极电压、20OC/W的热阻系数
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ASI MLN1030S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册
该数据表提供了MLN1030S的特性参数，包括最大电流、最大电压、最大功率等。
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ASI HF220-28 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册
ASI HF220-28 是一款硅 RF 功率晶体，具有 12 dB 的 PG 和 -30 dBc 的 IMD3。
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ASI HF125-28 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册
HF125-28是ASI公司生产的一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是PG = 15 dB min. at 100 W/30 MHz，IMD3 = -30 dBc max. at 100 W(PEP)
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ASI HF100-28 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册
ASI HF100-28是一种用于SSB通信的A类硅NPN平面晶体管，具有高线性功率输出和低互调失真。
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ASI HF75-28F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册
ASI HF75-28F是NPN硅射频功率晶体管，具有18 dB的功率增益和-30 dBc的IMD3。
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ASI HF30-28S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册
ASI HF30-28S是NPN硅射频功率晶体管，其特点是PG=20dB min. at 30W/30MHz，IMD3=-30dBc max. at 30W(PEP)。
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ASI HF15-28S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册
ASI HF15-28S是Advanced Semiconductor, Inc. 生产的一款NPN硅RF功率晶体管，该产品具有Omnigold™金属化系统的特点，最大电流为4.0 A，最大集电极-发射极反向电压为65 V，最大发射极-基极反向电压为35 V，最大发射极-基极电压为4.0 V，最大功耗为40 W。
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ASI HF15-28F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册
ASI HF15-28F是一种NPN硅RF功率晶体管，具有21 dB的最小PG和-30 dBc的最大IMD3。它具有Omnigold™金属化系统，最大额定值为4.0 A，65 V，35 V和4.0 V。
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ASI HF10-12S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册
ASI HF10-12S是NPN硅RF功率晶体管，具有以下特点：PG = 20 dB min. at 10 W/30 MHz，IMD3 = -30 dBc max. at 10 W(PEP)，Omnigold™金属化系统
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ASI AVF350 数据手册
ASI10573是Advanced Semiconductor的NPN硅RF功率晶体管，最大电流为19.8A，最大电压为55V，最大功耗为720W，封装为2NL FLG。
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ASI AVF450 数据手册
该文档是ASI AVF450的数据手册，介绍了该产品的特点和特性，包括BVCBO、BVCER、BVEBO、ICES、hFE、PG、ηηC、IC、VCC、PDISS、TJ、TSTG、θθJC、PACKAGE STYLE、ORDER CODE、DIM等参数。
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ASI AVF300 数据手册(1)
该数据表是关于ASI AVF250 NPN硅RF功率晶体管的，该晶体管的最大额定电流为18.8A，最大额定电压为55V，最大功耗为625W。
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