ASI说明书大全

这是一份关于ASI ULBM2的英文数据表，介绍了该产品的特点特性，包括BVCEO、BVCES、BVCBO、VEBO、ICBO、hFE、Cob、PG、ηηC、IC、VCBO、VCEO、VCES、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等。

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该文件是关于ASI ULBM2T的技术数据表，介绍了该产品的特点特性，包括最大额定电流、最大额定电压、最大额定功率等

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本文件是关于ULBM2SL产品的，包含产品的特点、特性、参数等信息。

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该文件介绍了ASI ULBM2TE型号的特点和特性，包括最大工作电流、最大工作电压、最大功耗等。

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该文件是关于ASI ULBM5型号的产品说明书，介绍了其特点和特性，例如最大工作电流、最大工作电压、最大功耗等。

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该文档介绍了ASI ULBM5SL这款产品的特点和特性，包括最大工作电流、最大工作电压、最大功耗等。

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ULBM10是ASI公司设计的一款NPN硅RF功率晶体管，具有Omnigold金属化系统、最大电流IC为2.5A、最大集电极-发射极反向电压VCBO为36V、最大集电极-发射极开路电压VCEO为16V、最大集电极-发射极反向电压VCES为36V、最大发射极-基极反向电压VEBO为4.0V、最大功耗PDISS为58W，工作温度范围为TJ-65℃至+200℃、储存温度范围为TSTG-65℃至+150℃，热阻θθJC为7.0℃/W。

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该数据表格是关于ASI ULBM35的规格参数，包括BVCEO IC、BVCES IC、BVEBO IE、ICES VCE、hFE VCE、Cob VCB、PG、ηηC、IC、VCBO、VCEO、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等

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本数据表提供了ASI ULBM45的特点特性，包括额定电流、电压、功耗等。

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这是一份ASI ULBM0.5的数据表，介绍了它的特点特性，包括BVCEO、BVCES、BVEBO、hFE、Cob、PG等。

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该文档介绍了ASI UHBS60-2型号的特点和特性，包括其最大额定值、电流、电压和频率等参数。

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该数据表是关于ASI UHBS60-1的参数规格，包括BVCBO、BVCES、BVCEO、BVEBO、ICES、ICBO、hFE、Cob、PG、ηηC、IC、VCBO、VCEO、VCES、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等。

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该文档介绍了一款NPN硅射频功率晶体管UHBS30-2的特点和特性，适用于高频应用。

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UHBS30-1是一种NPN硅RF功率晶体管，其最大额定值为9.0 A、50 V、30 V和4.0 V。它具有Omnigold™金属化系统、6L FLG封装和1.5 OC/W热阻。

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该文件介绍了ASI UHBS15-1型号的特点和特性，它是一款NPN硅射频功率晶体管，具有优异的性能和高可靠性。

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该文档介绍了ASI MLN1030SS型号的特点和特性，包括最小值、最大值和典型值等参数。

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这是一款由ASI公司生产的MLN1033F型NPN硅RF功率晶体管，其特点是具有最高20.6W的功率耗散和12dB的增益，并且采用了Omnigold™金属化系统，具有良好的散热性能。

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该文件介绍了ASI MLN1033S型号的特点和特性。

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ASI MLN1037F是Advanced Semiconductor, Inc.生产的一款NPN硅射频功率晶体管。它具有Omnigold™金属化系统，额定电流为10 A，电压为60 V和35 V，最大功耗为140 W。

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