lnternational IOR Rectifier IRF640S/L 数据手册
IRF640S/L HEXFET® Power MOSFET 是一种低阻抗、快速开关、高耐压、高温的第三代 HEXFET® 器件，可在 150°C 的操作温度下进行动态 dv/dt 评级。该器件采用 D2Pak 封装，具有最大功率能力和最低可能的导通电阻。D2Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大 HEX-4 尺寸的裸片。
厂商: lnternational
文件类型: PDF
文件大小: 235 KB
文件校验: 1CB180C847D40BA127857F1CC78FA4E6
上传时间: 2012-06-12 12:45:00
下载统计: 373
PDF链接: lnternational IOR Rectifier IRF640S/L 数据手册 PDF