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IRSF3021灯和直流电机驱动器是一种全保护的三端单片智能功率MOSFET，具有限流、过温保护、栅极到源极ESD保护和栅极到漏极阻尼器以提供过压保护。该芯片上的保护电路限制了通态时的漏极电流。过温电路在结温超过165°C时关闭功率MOSFET。一旦冷却至复位温度以下，设备将自动重启。IRSF3021专为需要过载保护和启动电流控制的负载驱动而设计，适用于汽车和工业环境。目标应用包括电阻性负载（如灯）或电容性负载（如安全气囊点火器和直流电机驱动器）。

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IRSF3031是一种具有内置短路、过温、ESD和过压保护以及双重设定/复位阈值输入的三端单片式智能功率MOSFET。芯片上的保护电路在漏电流超过4A（典型值）或结温超过165°C（典型值）时将关闭功率MOSFET，并保持关闭状态，直到输入电压低于复位阈值电压。在功率MOSFET雪崩之前，漏极-源极电压被主动钳位在55V（典型值），从而提高了其在带有感性负载时的性能。输入要求非常低（典型值为100µA），使IRSF3031与大多数基于标准功率MOSFET的现有设计兼容。

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IRS20124是一款200V高压评级的数字音频驱动器，可在Class D音频放大器应用中提供高达1000W的输出功率。该器件具有集成的死区生成和双向过流检测功能，可简化设计。IRS20124还具有可编程补偿预设死区时间，可提高温度范围内的THD性能。该器件具有高抗噪性，并具有关断功能，可保护器件免受过载条件。IRS20124可在高达1MHz的频率下工作，并具有兼容3.3V/5V逻辑的输入。

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IR2117/IR2118(S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有浮动通道、宽电压范围的门极驱动电源、欠压锁定等特点。

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IR2117是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术可实现坚固的单片式构造。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲器阶段，设计用于最小交叉导通。浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，在高侧或低侧配置中，工作电压可达600伏。

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IR2114/21141/2214/IR22141 半桥门驱动器 IC 是一款高性能、高可靠的 1200V 绝缘型 600V 栅极驱动器，采用 8 脚 SOT-223 封装。该驱动器具有浮动通道、软过流关断、同步关断、内置饱和检测电路、两级转换开启输出、独立的拉/下输出驱动引脚、匹配的延迟输出和带滞后带的欠压锁定功能。

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IR2113L6是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。

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该文件介绍了IR2113E6高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点和特性，包括浮动通道设计、从10到20V的门极驱动电源范围、正负偏移的逻辑和电源地、CMOS施密特触发输入等。

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IR2110/IR2113是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的单片构造成为可能。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可降至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。传播延迟匹配，可简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT，在高侧配置下工作电压可达500或600伏。

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IR2110L4 是一款高电压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉导通而设计。传播延迟匹配以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于在高侧配置中驱动 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT，该配置可运行至 400 伏。

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IR2110L4是IR公司生产的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低侧参考输出通道。

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IR2110E4是IR公司生产的一款高低侧驱动器，工作电压范围为10-20V，输出电压范围为10-20V，输出电流为+/-2A/2A，延迟匹配为10ns。

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IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧输出通道。该产品具有浮动通道，可以用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，工作电压可达500或600伏特。具有多种特性，例如浮动通道设计用于引导操作、逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容、具有匹配的传播延迟等。

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该文件介绍了IR210SG12HCB型号的主要特点和特性，包括最大导通电压、反向击穿电压、触发所需的最大DC门电流和最大DC门电压等。还包括了产品的机械特性和尺寸等信息。

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IR210SG12HCB 是国际整流器公司生产的210 平方毫米的晶闸管，该晶闸管额定反向击穿电压为1200V，最大导通电压为1.5V，最大触发电流为60 mA，最大触发电压为1.9V，最大保持电流范围为10至125 mA，最大锁存电流为200 mA。

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该文件介绍了IR210DG..HCB系列产品的特点和特性。

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IR2301(S)是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高压和低压参考输出通道。专有的HVIC和latch immune CMOS技术使坚固的单片构造成为可能。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可降至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，可实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT，该配置可运行至600伏。

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IR21093是IR公司推出的一款高压高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有浮动通道设计，可用于开关电源、逆变器和其他应用中。

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该文件介绍了一种典型的半桥驱动器，具有浮动通道、正负偏移电源、低电流上升速率、防止交叉导通等特点。

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