lnternational说明书大全

40HFL, 70HFL, 85HFL系列快速恢复二极管具有短的反向恢复时间，低的储存电荷，宽的电流范围和优异的浪涌能力

文件类型: PDF 大小:3505 KB

这份文件介绍了IRF150 HEXFET晶体管的特点和特性，包括低通态电阻、高传导度、超强的反向能量和二极管恢复速度等。该晶体管适用于开关电源、电机控制等应用。

文件类型: PDF 大小:150 KB

IRF1407S和IRF1407L是国际整流器公司推出的先进HEXFET®功率MOSFET产品。这些产品利用先进的加工技术，实现了极低的导通电阻和快速开关速度。它们适用于广泛的应用领域，具有高效可靠的特点。

文件类型: PDF 大小:159 KB

这款mos管是irf公司生产的，适用于汽车电子应用，额定最大电压75v，额定最大电流130a，额定最大开关速度4.6v/ns，额定最大工作温度175°c。

文件类型: PDF 大小:126 KB

该文件介绍了一款具有低导通电阻和高重复冲击电流评级的汽车MOSFET产品。它采用了最新的工艺技术，具有极低的导通电阻和快速开关速度，适用于汽车和其他应用领域。

文件类型: PDF 大小:156 KB

该文档介绍了一款针对汽车应用的HEXFET®功率MOSFET，具有极低的导通电阻、高温工作能力、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值等特点。

文件类型: PDF 大小:119 KB

IRF1404Z是IR公司生产的一款高性能功率MOSFET器件，具有超低导通电阻、175℃结温、快速开关速度等特点，适用于汽车电子等应用场合

文件类型: PDF 大小:226 KB

IRF1404S/IRF1404L是International Rectifier公司的第七代HEXFET®功率MOSFET，具有极低的硅面积上阻抗，以及快速的开关速度和坚固的器件设计。它适用于各种应用。D2Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。它提供了最高的功率能力和任何现有表面贴装封装中最小的可能的开关阻抗。D2Pak适用于高电流应用，因为其内部连接阻抗低，可以在典型的表面贴装应用中消耗高达2.0W。通过孔版本（IRF1404L）可用于低轮廓应用。

文件类型: PDF 大小:311 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

该数据表格提供了IRF1312功率MOSFET的相关信息，包括封装类型、最大电压、最大电流、最大功率等

文件类型: PDF 大小:223 KB

IRF1310S HEXFET® Power MOSFET PD是一款由第四代国际整流器(IR)HEXFET技术制造的高性能功率MOSFET

文件类型: PDF 大小:187 KB

IRF1310NS/L HEXFET®是International Rectifier公司生产的一种高效可靠的功率器件，采用了先进的制造工艺，在硅片面积上实现了极低的导通电阻，加上其快速的开关速度和坚固的器件设计，使其在各种应用中具有广泛的应用前景。IRF1310NS/L采用D2Pak封装，具有极高的功率能力和最低的可能导通电阻，适用于高电流应用，同时通过孔版本（IRF1310NL）可满足低剖面应用的需求。

文件类型: PDF 大小:144 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

该文档介绍了一款具有低导通电阻和快速开关速度的汽车MOSFET产品，适用于汽车和其他应用领域。该产品具有175°C的工作温度和改进的重复性雪崩特性。

文件类型: PDF 大小:226 KB

该文档介绍了一种专为汽车应用设计的HEXFET®功率MOSFET，具有极低的导通电阻和高温工作能力，适用于汽车和其他应用领域。

文件类型: PDF 大小:520 KB

JANTXV2N6756是International Rectifier的一款功率MOSFET，其最大连续电流为14A，最大峰值电流为56A，最大电压为20V，最大功耗为75W。

文件类型: PDF 大小:148 KB

IRF1205 HEXFET®功率MOSFET具有低电阻、快速开关速度和坚固的设计。适用于各种应用。

文件类型: PDF 大小:51 KB

IRF1010N HEXFET® Power MOSFET 是 International Rectifier 的一种高性能 55 V 低电阻 MOSFET，具有极低的导通电阻、快速开关速度和坚固的设计，适用于广泛的应用场合。

文件类型: PDF 大小:214 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

1

文件类型: PDF 大小:609 KB