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IR2156是一款包含高压半桥驱动器和可编程振荡器的电子镇流器控制芯片。该芯片具有可编程的预热和运行频率、可编程的预热时间、可编程的死区时间和可编程的过流保护等特点。它还具备灯泡点火故障、灯丝故障以及自动重启等全面的保护功能。

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该数据手册介绍了IRS2104 半桥驱动器的特性，包括输入电压范围、输出电压范围、输出电流、死区时间等。该驱动器采用浮动通道设计，可实现引脚复用。

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IRS2183/IRS21834是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧引用输出通道。采用专有的HVIC和抗封锁CMOS技术，实现了坚固的单片构造。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，逻辑电压下限为3.3V。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，以实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT，最高电压为600V。

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IRS2166D是一款集成了PFC、ballast控制和600V半桥驱动器的IC。关键导通模式增益型PFC，可编程半桥过流保护，可编程预热频率，可编程死区时间，可编程预热时间，可编程运行频率，符合RoHS标准。

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IR2183(4)(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有从属的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闭锁免疫CMOS技术可实现坚固耐用的单片式构造。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可降低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲阶段，专为最小化驱动器交叉导通而设计。浮动通道可用于在启动期间驱动N通道功率MOSFET或IGBT，以便在启动期间快速充电和关闭电流。

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IR2152是一种高压、高速、自振动的功率MOSFET和IGBT驱动器，具有高低侧参考输出通道。具有负压暂态耐受性，可工作到+600V。具有欠压锁定、可编程振荡频率等特点。

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IR2108(4) (S) & (PbF)是Irfineon的一种高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有双向高、低侧参考输出通道。

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IR2105是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用专有的HVIC和抗锁存CMOS技术，实现了坚固的单片构造。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，以实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动在10至600伏之间工作的N通道功率MOSFET或IGBT。

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IRS2004是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有高侧和低侧参考输出通道。

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IR2132是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高低侧输出通道。它具有浮动通道，适用于引导操作，工作电压可达+600V。它具有过流关断功能、欠压锁定功能和独立的半桥驱动器。输出与输入相位相反，具有匹配的传播延迟。IR2132能够驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可达600V。

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IRS2453D是一种自振半桥门极驱动器IC，集成了600V全桥门极驱动器，具有可编程振荡器，15.6V稳压二极管夹紧电压VCC，微功率启动，逻辑电平锁存关断引脚，CT引脚上非锁存关断（1/6VCC），内部引导FET，所有输入输出具有良好的锁存免疫性，所有引脚具有ESD保护，14引脚SOIC或PDIP封装，内部死区时间为1.0μs（典型值）。

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该文件介绍了半桥驱动器的典型特点，包括具有浮动通道、适用于引导操作、可在+600V工作、耐负向瞬态电压、具有电压锁定、适用于多种输入逻辑电压、具有防交叉导通逻辑、具有匹配的传播延迟、具有内置死区时间等特性。

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该产品是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，用于3相应用。

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IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368(J&S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，用于3相应用。专有的HVIC技术可实现坚固的功率驱动器，具有高耐压、高速度和低驱动电流特性。该系列产品具有低dV/dt和低di/dt引脚输出，可有效降低EMI噪声，并为设计人员提供良好的系统可靠性。

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该文件介绍了IR2130/IR2132(J)(S)型号的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点。它具有三个独立的高和低侧参考输出通道，采用专有的HVIC技术，具有坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，下至2.5V逻辑。通过外部电流感应电阻，接地参考的运算放大器提供桥电流的模拟反馈。从这个电阻还可以得到一个终止所有六个输出的过流保护功能。开漏FAULT信号指示是否发生过流或欠压关闭。输出驱动器具有为最小驱动交叉导通而设计的高脉冲电流缓冲级。传播延迟匹配，以简化在高频率下的使用。

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IR2085S是一款自振荡50%占空比的半桥驱动器IC，适用于36V-75V半桥DC-bus转换器。该产品还适用于无输入电压限制的推挽转换器。

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IRS2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端输出通道。具有浮动通道，适用于引导操作。完全可在+200 V下正常工作。能够耐受负的瞬态电压，具有dV/dt免疫能力。门极驱动供应电压范围为10 V至20 V。具有欠压锁定功能。与3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容。具有交叉导通预防逻辑。两个通道的传播延迟匹配。内置的设定死区时间。高端输出与HIN输入同相，低端输出与���输入反相。

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该数据表提供了IRS2108/IRS21084的引脚定义、电气特性、封装、应用等信息

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该文件介绍了一款自振动半桥驱动器产品，具有600V集成半桥门极驱动器、15.6V稳压器、低功耗启动等特点。

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IRK.41和IRK.56系列是IRF推出的厚铝金属模具和双层粘合技术的第四代高压电力模块，功率等级分别为45A和60A，额定电压为400-1600V。

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