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该文件介绍了一款辐射硬化功率MOSFET产品的特点和特性，包括单事件效应硬化、超低RDS(on)、低总门电荷、质子耐受性、简单驱动要求、容易并联和密封性好等特点。

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82CNQ030A 是 IRF 公司生产的中心抽头肖特基整流器模块，具有非常低的正向压降和适度的漏电流。该器件采用专有的屏蔽技术，可在 150 °C 的温度下可靠工作。典型应用包括开关电源、转换器、自由轮换二极管和反向电池保护。

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该文档介绍了16F(R)系列标准恢复二极管的特点和特性，包括高浪涌电流能力、阻峰型和阻阳型版本、宽电流范围、最高1200V的反向电压等。适用于电池充电器、转换器、电源和机床控制等应用。

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该产品是一款高性能的肖特基二极管，额定平均电流为16安培，额定反向电压为35-45伏。该产品具有低反向漏电流、高可靠性、高频率工作、机械强度高、防潮等特点，适用于开关电源、转换器、自由轮动二极管和反向电池保护等应用场合。

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MBR15..中心引脚肖特基整流器经过优化设计，具有在高温下低反向泄漏电流的特点。专有的势垒技术使其能够在高达150°C的结温下可靠运行。典型应用包括开关电源、变换器、自由运转二极管和反向电池保护。

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STPS40L15CW是IRF公司生产的中心抽头肖特基整流器模块，具有超低正向电压降和高可靠性，适用于并联开关电源、转换器、反向电池保护和冗余电源子系统等应用。

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40HFL、70HFL和85HFL系列快速恢复二极管具有短的反向恢复时间、低的储存电荷、宽的电流范围和出色的浪涌能力。它们有阳极和阴极版本，VRRM范围为100至1000 V。

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该产品是一款80安培的肖特基二极管，其特点是具有超低的正向压降，适用于并联开关电源、转换器、反向电池保护和冗余电源子系统等应用。

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20L15T, 20L15TS 是 IRF 的 20 安培肖特基二极管，具有极低的正向电压降，并且适用于并联电源的 OR-ing 应用。

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12CWQ10FNPbF 是 IRF 推出的一款 12 安培的肖特基二极管。该二极管具有低压降和小封装的特点，适用于电脑硬盘、开关电源、转换器、摆脱式二极管、电池充电器和反向电池保护等应用。

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STPS30L30CGPbF 是irf 公司生产的 30A 中心抽头肖特基整流器，具有低压降、高频率、可靠耐用等特点。

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STPS1L30UPbF 是 IRF 公司生产的一款肖特基二极管，额定直流反向电压为 30V，额定正向电流为 1A。该二极管具有小封装、低压降、高频操作等特点，广泛应用于开关电源、变换器、磁盘驱动器等领域。

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该数据表为IRS2153(1)D(S)PbF的详细信息，该产品是一款600V半桥栅极驱动器IC，具有集成的600V半桥栅极驱动器、CT、RT可编程振荡器、15.4V齐纳钳位在VCC上、微功率启动、非闭锁关断在CT引脚上（1/6th VCC）、内部引脚上有ESD保护、8引脚SOIC或PDIP封装、内部死区

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IPS7091(G)(S)PbF是IRF公司推出的一款智能功率高侧开关,具有过温关断(带自动重启)、短路保护(电流限制)、主动钳位、开路负载检测等功能。

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IRS21851是IR公司生产的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT单高侧驱动器，具有传播延迟匹配的输出通道。该器件的特点是：门驱动电源范围为10V到20V，V BS和V CC有欠压锁定功能，与3.3V和5V输入逻辑兼容，对负瞬变电压具有容忍性，所有通道都有匹配的传播延迟。

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本文件为IR2159/IR21591控制器的使用手册，介绍了控制器的特点特性，包括变压器-无灯丝功率检测、闭环灯丝功率控制、闭环预热电流控制、可编程预热时间、可编程预热电流、可编程点火-调暗时间、0.5至5伏直流调光控制输入、最小和最大灯丝功率调整、可编程最小频率、内部电流感应消隐和全灯故障保护。

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该数据手册介绍了IR2105的功能特性。IR2105是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，带有高侧和低侧参考输出通道。该器件采用专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，具有坚固的单片构造。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，在高侧配置中工作，电压范围为10至600伏。

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该数据表提供了PD60045-O的详细信息，包括电气连接、特点特性、描述等。

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IR2308(S)是一款高压高性能功率MOSFET和IGBT驱动器，具有高低侧参考输出通道。该驱动器采用专利的HVIC和HVIC技术，具有鲁棒的单片式结构，其逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可将电压降低至3.3V。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲阶段设计，可实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，该配置的最高工作电压为600伏。

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