International IOR Rectifier IR2106(4)(S) 数据手册(1)

该文件介绍了一款名为IR2106(4)(S)的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高和低端输出通道。它可以在最高600伏的高边配置中驱动N通道功率MOSFET或IGBT。该产品具有浮动通道、适用于引导操作的设计、高峰电流缓冲级和匹配的传播延迟等特点。


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上传时间: 2012-07-10 10:28:00

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