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910A相控硅器件ST700C..L系列具有金属外壳和陶瓷绝缘体，适用于直流电机控制、可控直流电源和交流控制器等应用。主要特点包括中心放大门极、国际标准外壳TO-200AC（B-PUK）、额定电流910A @ 55°C等。

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该文档介绍了IRS2153D(S)PbF自振动半桥驱动器芯片的特点和特性，包括600V最大偏置电压、50%占空比、180/260mA的驱动源/汇电流、15.4V的Zener钳位等。

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IRSF3010 是一款三端集成的 SMART POWER MOSFET，内置短路、过温、ESD 和过压保护。

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IRSF3011是一款三端式单片式智能功率MOSFET，具有内置短路、过温、ESD和过压保护。

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IRF3808S / IRF3808L是IRF公司针对汽车应用设计的一款高性能MOS管，具有极低的导通电阻、高可靠性和快速开关特性

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IR2136/IR21362/IR21363是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，用于3相应用。

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IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/ IR21366/IR21367/IR21368(J&S) 是高电压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，带有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，用于 3 相应用。专有的 HVIC 技术可实现坚固的单片式结构。逻辑输入是 3.3 V 兼容的。3 个独立的半桥驱动器具有匹配的传播延迟。交叉导通防止逻辑使低侧输出与输入相位相反。高侧输出与输入相反 (IR2136/IR21363/IR21365/ IR21366/IR21367/IR21368) 或与输入同相 (IR21362)。低 di/dt 门驱动器可提供更好的噪声免疫性。外部可编程延迟可用于自动故障清除。

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该文件介绍了一种典型的三相桥式驱动器，具有浮动通道设计，适用于引导操作。驱动器具有600V的工作电压和抗负向瞬态电压能力。具有10-20V（IR2136/IR21368）、11.5-20V（IR21362）或12-20V（IR21363/IR21365/IR21366/IR21367）的门极驱动电源范围。所有通道都具有欠压锁定功能和过流关闭功能。驱动器具有独立的三个半桥驱动器，具有匹配的传播延迟和防止交叉导通逻辑。低侧输出与输入不同相位，高侧输出与输入在不同相位（IR2136/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368）或相位相同（IR21362）。驱动器与3.3V逻辑兼容，具有较低的di/dt门极驱动器以提供更好的抗干扰性能。还可以通过外部编程延迟来实现自动故障清除。

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IR2133/IR2135(J&S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于三相应用。具有浮动通道，可进行引导电路操作，完全适用于+600V或+1200V，耐负向瞬态电压的影响。具有10V/12V至20V直流的门极驱动电源范围，瞬态时可高达25V。所有通道均具有欠压锁定功能。过流关闭将关闭所有六个驱动器。所有通道的传播延迟相匹配。2.5V逻辑兼容。输出与输入不同相。

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IR2133/IR2135/IR2233/IR2235是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有3个独立的高侧和低侧参考输出通道，用于3相应用。

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该产品是一款高压、高速度的电源MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高、低侧参考输出通道。

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IR2131(J)(S)是IR公司推出的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC技术使其具有坚固的单片集成电路结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，可支持2.5V逻辑。外部电流检测电阻可以产生一个终止所有六个输出的过流跳闸功能。为定制关断功能提供了关断输入。提供一个开漏故障信号，以指示任何关断已发生。输出驱动器具有专门设计的用于最小化驱动器交叉导通的高脉冲电流缓冲级。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏。

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该数据手册提供了IR2131的详细信息，它是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。该器件采用专有的HVIC技术，具有坚固的单片集成结构。逻辑输入与5V CMOS或LSTTL输出兼容。外部电流检测电阻可以产生一个终止所有六个输出的电流跳闸功能。还提供了一个自定义关断功能的关断输入。还提供了一个开漏故障信号，以指示发生了任何关断。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，这些MOSFET或IGBT的操作电压可达600伏。

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IR2130/IR2132(J)(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的HVIC技术可实现坚固的单片式构造。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，可降至2.5V逻辑。通过外部电流检测电阻，一个接地参考运算放大器提供桥电流的模拟反馈。该电阻还衍生出一个终止所有六个输出的电流跳闸功能。一个开漏故障信号指示是否发生了过电流或欠压关断。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，以最小化驱动器交叉导通。

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IR2130/IR2132(J)(S) 是一款高压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术可实现坚固的单片式结构。逻辑输入兼容 CMOS 或 LSTTL 输出，可降至 2.5V 逻辑。一个接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥接电流的模拟反馈。电流跳闸功能也来自该电阻，可终止所有六个输出。打开的漏极故障信号指示是否发生了过流或欠压关断。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。

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IR2130/IR2132(J)(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC技术实现了坚固的单片式构造。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，可降低至2.5V逻辑。通过外部电流检测电阻，地参考运算放大器提供桥电流的模拟反馈。从此电阻中还派生出一个终止所有六个输出的电流跳闸功能。开漏故障信号指示是否发生了过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲阶段，专为最小化驱动器交叉导通而设计。传播延迟匹配，简化在高频率下使用。浮动通道设计用于自举操作，完全可操作到+600V，耐受负瞬态电压，dv/dt免疫。门驱动电源范围为10至20V。所有通道均具有欠压锁定功能。过流关断可关闭所有六个驱动器。独立的半桥驱动器。所有通道都具有匹配的传播延迟。与输入相位相反的输出。交叉导通防止逻辑。可提供无铅版本。

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IR2128是一款高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器。其具有浮动通道、耐负向瞬态电压、10至20V的门源电压范围、欠压锁定和5V施密特触发输入逻辑等特点。IR2128适用于驱动高侧或低侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。

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该文件介绍了IR2127/IR2128/IR21271(S)高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点和特性。该驱动器具有浮动通道，适用于引导操作，完全适用于+600V，对负传输电压具有抗扰动能力。具有应用特定的门极驱动范围，适用于电机驱动和汽车应用。支持欠压锁存功能，兼容3.3V、5V和15V输入逻辑，故障引线指示发生了关机。输出与输入同相（IR2127/IR21271），输出与输入反相（IR2128）。具有电流感应和单通道驱动特性。

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