International说明书大全
International Rectifier IR2125Z 数据手册
IR2125Z是IR公司生产的一款高压高频功率MOSFET和IGBT驱动器，具有过电流限制保护电路。该产品具有以下特点：浮动通道设计，可实现引导操作；完全可操作至+400V；耐负瞬态电压；dV/dt免疫；门驱动电源范围为12至18V；欠压锁定；电流检测和限制环路可限制驱动功率晶体管的电流；故障指示引脚指示故障条件并编程关断时间；输出与输入同相。
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International Rectifier IR2125 数据手册
IR2125是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有过流限制保护电路。它具有浮动通道，适用于引导电路操作，并且完全适用于+500V电压。它还具有负向瞬变电压容忍和dV/dt免疫特性。该驱动器具有12至18V的门极驱动电源范围，欠压锁定功能，以及用于限制驱动功率晶体管电流的电流检测和限制回路。故障情况下的错误引导指示故障条件并编程关机时间。输出与输入同相。
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International Rectifier IR2117/IR2118 (S) 数据手册
IR2117/IR2118(S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。它具有浮动通道设计，适用于引导操作，工作电压可达到+600V，抗负压瞬变，具有10到20V的门极驱动电源范围，具有欠压锁定、CMOS斯密特触发输入和输出与输入同相或反相等特点。
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International Rectifier IR2118 数据手册
IR2118是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术可实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，以实现最小的交叉导通。浮动通道可用于在高侧或低侧配置中驱动N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏。
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international IOR rectifier IR2112 HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册
IR2112是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧输出通道。其特点包括浮动通道设计、全面工作电压至+600V、负向瞬态电压耐受、门极驱动电压范围为10至20V、低电压锁定以及匹配的传播延迟等。
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international IOR rectifier IR2112(S) 数据手册
IR2112(S)是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术可实现坚固的单片构造。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲阶段，设计用于最小化驱动器交叉导通。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，该配置可工作至600伏。
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international IOR rectifier IR2112(S) 数据手册
IR2112(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和自锁电容MOS技术能够实现坚固的单片构造。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，电压可降至3.3V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计，可降低驱动器交叉导通。
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international IOR rectifier IR2112(S) & (PbF) 数据手册
IR2112是IR公司出品的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低侧参考输出通道。
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international IOR rectifier IR2111(S) & (PbF) 数据手册
IR2111(S)是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖高、低侧参考输出通道，专为半桥应用而设计。
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international IOR rectifier IR2111 HALF-BRIDGE DRIVER 数据手册
IR2111是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，带有依赖于高侧和低侧参考输出通道的半桥应用设计。
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international IOR rectifier IR2110L6 HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册
IR2110L6是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。它采用专有的HVIC和抗锁存CMOS技术，具有坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏特。
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international IOR rectifier IR2110E6 HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册
该数据表描述了IR2110E6高低侧驱动器的特性。该驱动器支持+600V的浮动通道设计，能够在负瞬态电压下正常工作，并且具有dV/dt免疫功能。其门极驱动电源范围为10至20V，具有欠压锁定功能。逻辑电源范围为5至20V，逻辑和电源地之间的电压偏差为±5V。该驱动器具有CMOS Schmitt触发输入和下拉电阻，具有逐周期边沿触发关断逻辑，并且两个通道之间的传播延迟相匹配，输出与输入同步。
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International IOR Rectifier IR2106(4)(S) 数据手册(1)
该文件介绍了一款名为IR2106(4)(S)的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高和低端输出通道。它可以在最高600伏的高边配置中驱动N通道功率MOSFET或IGBT。该产品具有浮动通道、适用于引导操作的设计、高峰电流缓冲级和匹配的传播延迟等特点。
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International IOR Rectifier IR2106(4)(S) 数据手册(1)
IR2106(4)(S) 是高压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片式构造。逻辑输入兼容 3.3V、5V 和 15V，为电路板布局提供了灵活性。
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International IOR Rectifier IR2105 数据手册
IR2105是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高、低侧参考输出通道。
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International IOR Rectifier IR2104(S) 数据手册
该数据表提供了IR2104(s)的详细信息，包括其功能特点、应用场景、引脚配置等。
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International IOR Rectifier IR2104(S) & (PbF) 数据手册
PD60046-S是IR公司生产的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器。最大工作电压可达600V，耐负冲击电压，具有关断锁定、低压锁定功能，支持3.3V、5V和15V逻辑输入。
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International IOR Rectifier IR2103(S) 数据手册
该文档介绍了IR2103(S)高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点和特性，如浮动通道设计、可用于引导操作、抗负向瞬态电压、逻辑兼容性等。
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