日立说明书大全
HITACHI 2SK1159, 2SK1160 Silicon N-Channel MOS FET 说明书
2SK1159, 2SK1160是日本三菱电机生产的一款高压开关管，它具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场合。
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HITACHI 2SK1155, 2SK1156 Silicon N-Channel MOS FET 说明书
2SK1155, 2SK1156 是双极型MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。
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HITACHI (128 x 128-dot Graphics LCD Controller/Driver with Four-grayscale Functions) HD66750/1 说明书
HD66750/1 是一个 128 x 128 点的图形 LCD 控制器和驱动器 LSI，它显示四种单色灰度的 128 乘 128 点图形。
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HITACHI 2SK1153, 2SK1154 Silicon N-Channel MOS FET 说明书
2SK1153, 2SK1154是硅N沟道MOS FET，适用于高速功率开关应用。具有低导通电阻、高速开关、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关稳压器和DC-DC转换器。
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HITACHI 2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S) Silicon N-Channel MOS FET 说明书
2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S) 是 N 通道 MOS FET，可用于高频功率切换。特点包括低阻态、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿，适用于开关稳压器和 DC-DC 转换器。
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日立 2SK1095 数据手册
该文件介绍了一种高速功率开关产品的特点和特性，包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流等。该产品适用于电机驱动、DC-DC转换器、电源开关和电磁阀驱动等应用。
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日立 2SK1094 数据手册
2SK1094是一款硅N通道MOSFET，适用于电机驱动、DC-DC转换器、功率开关和电磁阀驱动等场景。其特点是低导通电阻、高开关速度、低驱动电流，可由5V电源驱动。
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日立 2SK1093 数据手册
2SK1093是日本富士通公司生产的一款高性能N沟道MOSFET开关管，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流等特点，适用于电机驱动、DC-DC转换器、电源开关和线圈驱动等应用
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HITACHI 2SK1070 Silicon N-Channel Junction FET 数据手册
2SK1070是一种硅N型沟道结型场效应管，适用于低频/高频放大器应用。
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日立 HM628128A Series 说明书
HM628128A是Hitachi（日立）生产的一款131,072-word×8-bit的高性能静态RAM，采用0.8µm Hi-CMOS工艺，具有高速度和低功耗的特点。HM628128A封装形式为525-mil SOP、600-mil plastic DIP、8×20mm TSOP，适用于高密度安装。
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HITACHI HA178M00 Series 3-terminal Fixed Voltage Regulators 说明书
HA178M00系列3端固定电压调节器具有以下特点：输出电流小于500mA、多种输出电压（5、6、7、8、9、12、15、18、20和24V）、无需外部补偿电路、内置电流控制电路保护元件免受短路损坏、内置芯片结温限制电路保护元件免受热损坏、内置内部功耗限制电路保护输出级晶体管。
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日立 HD74LVC125A 说明书
HD74LVC125A是一种具有四个总线缓冲器门的器件，适用于低电压和高速操作。其特点包括低功耗、高输出电流和高阻抗状态控制。
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HITACHI hitachisoft StarBoard BT-2G User's Guide
该文件是关于StarBoard BT-2G用户指南的请求和使用说明。用户需要详细阅读和理解安全说明，保存好指南作为参考。另外，该文件还包含了关于WEEE（废弃电子电器设备指令）的信息。
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Hitachi Feature Tool Usage Instructions
Hitachi Feature Tool 是一款用于管理 Hitachi 高性能 ATA 硬盘驱动器的工具，可以让用户控制驱动器的一些参数，例如电源管理、缓存设置、容量、S.M.A.R.T. 操作、Ultra DMA 模式、驱动器温度和 SATA 设置。
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日立 HD74ALVCH16827 数据手册
HD74ALVCH16827是20位缓冲器/驱动器，具有3状态输出。它由两个带有分离输出使能信号的10位部分组成。对于任何10位缓冲区部分，两个输出使能(1OE1和1OE2或2OE1和2OE2)输入必须同时为低，以使相应的Y输出处于活动状态。如果任何一个输出使能输入为高，该10位缓冲区部分的输出处于高阻抗状态。提供有源总线保持电路，以在未使用或浮动的数据输入上保持有效的逻辑电平。
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日立 HM62256B Series 数据手册
HM62256B 系列是一款 32,768 字 × 8 位高速 CMOS 静态 RAM，采用 0.8 µm Hi-CMOS 工艺技术，实现了更高的性能和更低的功耗。该器件采用 8 × 14 毫米 TSOP、8 × 13.4 毫米 TSOP（厚度为 1.2 毫米）、450 毫米 SOP（印刷电路板引脚间距）和 600 毫米塑料 DIP 或 300 毫米塑料 DIP 封装，可用于高密度安装。该器件可提供低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统。
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