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2SA1171 是一款硅 PNP 结型晶体管，应用于低频小信号放大器。

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2SA1122 是 NXP 公司生产的一款低频放大器，其最大集电极电压为 -55V，最大集电极-发射极电压为 -55V，最大发射极-基极电压为 -5V，最大集电流为 -100mA，最大集电极功耗为 150mW，结温为 150 °C，储存温度为 -55 到 +150 °C。

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该文件介绍了2SA1121硅PNP外延应用，是一款低频放大器，与2SC2618互补配对使用。文档中详细列出了2SA1121的绝对最大额定值和电气特性。

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2SA1083、2SA1084和2SA1085是硅PNP外延应用晶体管，适用于低频低噪声放大器和与2SC2545、2SC2546和2SC2547互补配对。

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2SA1083, 2SA1084, 2SA1085是硅PNP外延型晶体管，适用于低频低噪声放大器。与2SC2545, 2SC2546和2SC2547互补搭配使用。

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2SA1052是硅PNP型三极管，具有低频放大器应用

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2SA1031, 2SA1032是Silicon PNP Epitaxial，应用于低频低噪声放大器，是2SC458 (LG)和2SC2310的互补对

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该文件介绍了2SA1031和2SA1032的特点和特性，包括低频低噪声放大器应用，与2SC458 (LG)和2SC2310互补配对等。

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2SA1029和2SA1030是硅PNP外延晶体管，适用于低频放大器。与2SC458和2SC2308互补配对。特点特性包括：集电极到基极电压为-30V至-55V，集电极到发射极电压为-30V至-50V，发射极到基极电压为-5V，集电极电流为-100mA，发射极电流为100mA，集电极功耗为300mW，最高工作温度为150°C。

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2SA1025, 2SA1081, 2SA1082是三款硅PNP型晶体管，应用于低频放大器，可以与2SC2396, 2SC2543和2SC2544配合使用。

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该文档介绍了2SA1025、2SA1081和2SA1082三种硅PNP外延晶体管的应用，包括低频放大器和与2SC2396、2SC2543和2SC2544互补配对等特点。

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2SK1298是一种低阻抗、高开关速度、低驱动电流的硅N沟道MOSFET，适用于电机驱动、DC-DC转换器、功率开关和电磁阀驱动。

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2SK1296是一种高频功率开关，具有低导通电阻、高开关速度和低驱动电流的特点，可从5V电源驱动，适用于电机驱动、DC-DC转换器、功率开关和电磁阀驱动

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2SK1254(L)、2SK1254(S)为N沟道MOSFET，适用于大功率开关电路，其特点是低阻抗、高开关速度，可由5V电源驱动，适用于电机驱动、DC-DC转换器、功率开关和电磁阀驱动等

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2SK1169, 2SK1170是两款高压功率开关型N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。

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该文件介绍了2SK1167和2SK1168硅N沟道MOS FET的应用，其特点包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流、无二次击穿，并适用于开关稳压器和DC-DC转换器。

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2SK1165, 2SK1166是东芝公司生产的一款高压大电流N沟道MOSFET，适用于开关电源和DC-DC转换器，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点。

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2SK1163, 2SK1164是东芝生产的一种高压大电流N沟道MOSFET器件，适用于开关电源和DC-DC转换器。

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2SK1161, 2SK1162是N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。

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