三菱说明书大全

三菱 M63817P/FP/KP 说明书

M63817P/FP/KP是8通道300mA单管阵列,带钳位二极管.

文件类型: PDF 大小:74 KB

三菱 M63820FP/KP 说明书(1)

M63820FP/KP是一款8通道沉降驱动器,由16个NPN晶体管连接而成的8个高电流增益驱动器组成。具有高击穿电压、高电流驱动、带钳位二极管和3V微机系列兼容输入等特点。

文件类型: PDF 大小:41 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M63823P/FP/GP 说明书

M63823P、M63823FP和M63823GP是带有夹持二极管的七通道达林顿晶体管阵列。电路由NPN晶体管构成。这些半导体集成电路具有极低的输入电流供应和高电流驱动能力。生产阵容还新增了225mil(GP)封装。M63823P和M63823FP与M54523P和M54523FP的引脚连接相同。M63823P和M63823FP的特点与M54523P和M54523FP相同或优于后者。

文件类型: PDF 大小:74 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M63824GP/KP 说明书

M63824GP/KP是7通道NPN晶体管阵列,集成了7个高电流增益驱动对。该产品具有高击穿电压(BVCEO ≥ 50V)、高电流驱动(IC(max) = 500mA)、内置钳位二极管、3V微型计算机系列兼容输入和宽工作温度范围(Ta = –40 至 +85°C)。该产品可应用于3V微型计算机系列的输出和与高压系统的接口。

文件类型: PDF 大小:41 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M63826P/FP/GP 说明书

M63826P/FP/GP是一款7通道,500mA,带钳位二极管的达林顿晶体管阵列。该器件采用NPN三极管,能够在极低的输入电流供应下提供高电流驱动。并且,该系列器件增加了225mil(GP)封装。M63826P和M63826FP具有与M54526P和M54526FP相同的引脚连接(兼容M54526P和M54526FP)。此外,M63826P和M63826FP的功能与M54526P和M54526FP相同或更高。

文件类型: PDF 大小:75 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M63827WP/DP 说明书

M63827WP/DP是7管集成的达林顿晶体管阵列,内含NPN晶体管,输入电流极低,即可实现大电流驱动。

文件类型: PDF 大小:71 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M63828WP/DP 说明书

M63828WP/DP是7通道达林顿晶体管阵列,具有钳位二极管。该电路由NPN晶体管组成。这两款半导体集成电路以极低的输入电流提供高电流驱动。

文件类型: PDF 大小:71 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M63830P/FP 说明书

m63830p/fp是mitsubishi生产的一款4通道sinkdriver,具有高击穿电压、高电流驱动、3v微计算机系列兼容输入、带钳位二极管、带输入二极管和宽工作温度范围等特点。

文件类型: PDF 大小:63 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M63832GP/KP 说明书

M63832GP/KP 7-channel sinkdriver,是一款具有高电流增益的七个驱动器对的PNP和14个NPN晶体管组成的7单元500mA达林顿晶体管阵列。

文件类型: PDF 大小:58 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M63834FP/KP 说明书

M63834FP/KP是8通道NPN和PNP高电流增益驱动器阵列,带输入二极管。

文件类型: PDF 大小:65 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M63836FP/KP 说明书

M63836FP/KP是一种8通道的汇流器,由8个PNP和16个NPN晶体管组成,可以直接驱动3电压微型计算机系列。具有高击穿电压、高电流驱动、3V微型计算机兼容输入、输入二极管、夹紧二极管等特点。

文件类型: PDF 大小:70 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M63840P/FP/KP 说明书

M63840P/FP/KP是一种具有8个电路的单元,采用输入反相器和电流源输出。输出由PNP晶体管和NPN达林顿晶体管组成。输入具有10kΩ的电阻,可应用最高15V的电压。输出电流最大为500mA。供电电压VS最大为40V。M63840FP/KP采用模塑小型扁平封装,节省空间。具有输出钳位二极管和宽工作温度范围(Ta=-40~+85℃)。

文件类型: PDF 大小:1336 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M63850P/FP 说明书

M63850P/FP是一款4通道N沟道DMOS晶体管阵列,额定漏源电压为80V,额定漏源电流为1.5A。

文件类型: PDF 大小:50 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR M81016P/FP/KP 说明书

M81016是8通道D触发器驱动器,具有高达40V的击穿电压和200mA的漏极输出电流。它具有一个通用的直接清除输入和一个通用的时钟输入,8个相同电路单元由D触发器逻辑电路和高电压NchMOS输出晶体管组成。该电路用于LED驱动。

文件类型: PDF 大小:109 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR PS21562-P 说明书

该数据表是MITSUBISHI SEMICONDUCTOR产品PS21562-P的规格书

文件类型: PDF 大小:132 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR PS21563-P 说明书

PS21563-P是一款600V/10A低损耗的5代逆变桥,用于三相DC-to-AC电力转换。适用于小功率电机控制的AC100V~200V逆变器驱动。

文件类型: PDF 大小:132 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR PS21564-P 说明书

这份文件介绍了2005年MITSUBISHI半导体公司的PS21564-P双直插式智能功率模块,其具有绝缘型终端和传输模制类型。该产品适用于三相直流到交流电能转换的AC100V~200V逆变器驱动小功率电机控制。

文件类型: PDF 大小:132 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR PS21562-SP 说明书

600V/5A低损耗5代IGBT逆变桥,适用于小功率电机控制

文件类型: PDF 大小:123 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR PS21563-SP 说明书

PS21563-SP是三相DC-AC电源转换的600V/10A低损耗第5代IGBT逆变桥,开放发射极类型。应用于AC100V~200V逆变器驱动小功率电机控制。

文件类型: PDF 大小:124 KB

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR PS215624-SP 说明书

该文档介绍了MITSUBISHI SEMICONDUCTOR的PS21564-SP双排直插封装智能功率模块,是一种用于三相直流至交流功率转换的600V/15A低损耗第五代IGBT逆变桥。适用于AC100V~200V的小功率电机控制。

文件类型: PDF 大小:124 KB

没找到合适的结果? 您可以留下电子邮箱,我们帮您找一找

品牌



产品