三菱说明书大全

MGF4941AL 是 Mitsubishi 生产的一种 GaAs HEMT 型低噪声器件，主要用于 Ku 波段放大器。其特点是低噪声 figure (NFmin. = 0.35dB )、高增益 (Gs = 13.5dB )。

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MGF4953A是一款超低噪声的InGaAs HEMT（高电子迁移率晶体管），适用于C至K波段放大器。该产品具有低噪声系数和高关联增益。

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MGF4953B是一款超低噪声的InGaAs HEMT（高电子迁移率晶体管），专为K波段放大器而设计。无铅陶瓷封装可确保最小寄生损耗。

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MGF4961B是三菱电气推出的一款超低噪声GaAs FET，适用于K波段放大器。其特点是低噪声系数（f=20GHz，NFmin. = 0.7dB，典型值）和高增益（f=20GHz，Gs = 13.5dB，典型值）。

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MGF4951A/MGF4952A是一款超低噪声HEMT（高电子迁移率晶体管），适用于C到K波段放大器。无引线陶瓷封装确保最小的寄生损耗。

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该文件介绍了MGF0907B高功率GaAs FET，用于UHF频段功放器。该产品具有高输出功率、高功率增益和高功率增益效率等特点。

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MGF0909A GaAs FET 是N 通道肖特基栅极，专为 L/S 带放大器而设计。

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MGF0910A 是 N 沟道肖特基栅 GaAs FET，设计用于 UHF 带宽放大器。它具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

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本文件介绍了MGF0911A型号的高功率GaAs FET放大器。该产品适用于UHF频段放大器，具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率等特点。

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MGF0915A是N通道肖特基栅极GaAs FET，适用于UHF频段放大器。其特点是输出功率高、增益高、附加效率高。

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MGF0918A GaAs FET是带N通道肖特基栅极的GaAs FET，用于UHF频段放大器。具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

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MGF0920A GaAs FET是一款高功率、高增益、高效率的N沟道肖特基门FET，适用于UHF波段功率放大器。

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MGF0951P是N通道肖特基门GaAs FET，设计用于L/S波段放大器。其特点是高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

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MGF0953P L & S BAND / 0.6W SMD / Plastic Mold非匹配是MG品牌的GaAs FET产品，具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率，适用于L/S波段功率放大器。

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MGF1451A 是 Mitsubishi Electric 公司生产的一款 GaAs MESFET 功率器件，它具有高增益和高 P1dB 特性，适用于 S 到 Ku 波段低噪声放大器中。

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MGF1952A是三菱电机生产的一款微波功率MES FET器件，应用于S到Ku频段功率放大器中。

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