三菱说明书大全

MGFC42V5258是三菱电机生产的一款GaAs功率场效应管，适用于5.2-5.8GHz频段的功率放大器应用场景。

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MGFC42V5964A是一款内阻匹配的GaAs功率FET，专为5.9 - 6.4 GHz频段放大器而设计。它具有高可靠性，内部匹配到50欧姆系统，具有高输出功率，高功率增益和高功率附加效率。

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MGFC45B3436B是Mitsubishi Electric生产的一款射频功率器件，工作频率为3.4-3.6GHz，最大输出功率为30W，输出功率增益为11dB，失真为-45dBc。

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MGFC45V4450A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为4.4-5.0GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装保证了高可靠性。

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MGFC45V5964A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为5.9-6.4 GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装保证了高可靠性。

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MGFC47A4450是Mitsubishi Electric Corporation设计的一款功率晶体管，适用于4.4-5.0GHz频段放大器。该晶体管具有高输出功率、高增益和高效率等特点。

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MGFC47V5864是安森美公司推出的5.8-6.4GHz带内功率晶体管，具有高输出功率、高功率增益和高效率特性，可广泛用于卫星地面站通讯发射机和VSAT。

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MGFC36V3742A是内部匹配的GaAs功率FET，专门设计用于3.7-4.2GHz带宽放大器。产品特性包括：内部匹配到50欧姆系统、高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真。

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MGFC36V5867是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为5.8-6.75GHz频段放大器而设计。该产品具有高可靠性，采用金属陶瓷封装，可满足Class A工作条件。

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MGFC36V7177A是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为7.1-7.7 GHz频段放大器而设计。该器件采用密封金属陶瓷封装，可保证高可靠性。

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MGFC36V7785A是一种用于7.7-8.5 GHz带放大器的内部匹配的GaAs功率FET。该产品具有A类工作，内部匹配到50欧姆系统，高输出功率，高功率增益，高功率添加效率和低失真等特点。

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MGFC38V5867是内阻匹配的GaAs功率FET，专为5.8–6.75 GHz带宽放大器而设计。金属陶瓷封装保证了高的可靠性。

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MGFC38V6472是一种内部匹配的GaAs功率FET，特别设计用于6.4-7.2 GHz频段放大器。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。

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MGFC39V3742A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为3.7-4.2GHz频带放大器设计。金属陶瓷封装保证了高可靠性。

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MGFC39V4450A 4.4 – 5.0 GHz BAND / 8W是飞凯半导体生产的一款内部匹配的GaAs功率FET，该器件具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率，可应用于4.4 – 5.0 GHz 频段功率放大器

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MGFC39V5258是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为5.2-5.8 GHz频段放大器设计。密封的金属陶瓷封装保证了高可靠性。

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MGFC39V5867是一款内部匹配的GaAs功率FET，专为5.8-6.75 GHz频段放大器设计。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。

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MGFC39V5964A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为5.9-6.4 GHz频段放大器设计。其密封金属陶瓷封装保证了高可靠性。

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MGFC39V6472A是一种内部匹配的高功率GaAs FET，专为在6.4-7.2 GHz频段放大器中使用。该产品具有高输出功率、高功率增益、高功率增益效率和低失真等特点。

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