三菱说明书大全

三菱 RA08N1317M 说明书

RA08N1317M是RASilicon公司生产的一款8W 9.6V的RF MOSFET放大器模块。该模块可以用于135-175MHz频段的便携式收音机。

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三菱 RA13H1317M 说明书

RA13H1317M-101 是一款13-watt RF MOSFET Amplifier Module，适用于12.5-volt mobile radios，工作频率范围为135-175 MHz。

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三菱 RA30H0608M 说明书

RA30H0608M是一种30瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于在66-88MHz范围内工作的12.5伏移动无线电。它具有增强型MOSFET晶体管，宽带频率范围，低功率控制电流和线性操作的可能性。

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三菱 RA30H1317M 说明书

RA30H1317M是一款30瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于工作在135-175MHz频段的12.5伏移动无线电。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有宽频带频率范围、低功耗控制电流和线性操作等特点。

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三菱 RA30H1317M1 说明书

RA30H1317M1 是 30 瓦的 RF MOSFET 放大器模块，用于 12.5 伏移动收音机，工作频率范围为 135-175 MHz。

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三菱 RA30H1721M 说明书

RA30H1721M是Silicon RF Power Modules公司生产的一款30瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于12.5伏移动收音机，工作频率范围为175-215MHz。

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三菱 RA30H2127M 说明书

RA30H2127M是一款30瓦的RF MOSFET功放模块，适用于12.5伏特的移动收音机，工作频率为210-270MHz。

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MITSUBISHI ELECTRIC RA33H1516M1 说明书

RA33H1516M1是33瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于工作在154-162MHz范围内的12.5伏移动收音机。

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MITSUBISHI ELECTRIC RA35H1516M 说明书

RA35H1516M是一款154-162MHz 40W 12.5V的2级放大器，适用于移动电台。

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MITSUBISHI ELECTRIC RA60H1317M 说明书(1)

RA60H1317M是一款60瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于12.5伏移动收音机，工作频率范围为135-175MHz。

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MITSUBISHI ELECTRIC RA60H1317M 说明书

RA60H1317M1A 60W 12.5V 2 Stage 无线电功率放大模块适用于136-174MHz频段的移动电台。

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MITSUBISHI ELECTRIC RA03M3540MD 说明书

RA03M3540MD是RASilicon的一款38dBm输出RF MOSFET放大器模块，适用于7.2伏特便携式收音机，工作频率范围为350至400MHz。

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MITSUBISHI ELECTRIC RA03M4043MD 说明书

RA03M4043MD是RASilicon推出的一款38dBm输出功率的RF MOSFET放大模块，适用于7.2伏特便携式无线电设备，工作频率范围为400-430MHz。

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MITSUBISHI ELECTRIC RA03M4547MD 说明书

RA03M4547MD是Silicon RF Power Semiconductors旗下的一款7.2V便携式收音机功率放大器，最大输出功率为38dBm，工作频率为450-470MHz。

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MITSUBISHI ELECTRIC RARARA07H3340MM 说明书

RA07H3340M是RASilicon公司出品的7W 12.5V，2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO，该产品工作于330-400MHz频段，可以通过设置栅极电压来实现线性调制。

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MITSUBISHI ELECTRIC RA07H4452 说明书

RA07H4452M是RASilicon公司生产的一款7瓦RF MOSFET放大器模块，它可以用于12.5伏特的便携式无线电设备，工作频率范围为440-520MHz。

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MITSUBISHI ELECTRIC RA07M3340M 说明书

RA07M3340M是一款7瓦RF MOSFET放大器模块，适用于在330-400MHz范围内工作的7.2伏便携式无线电。具有增强型MOSFET晶体管，可直接将电池连接到漏极。具有宽带频率范围、低功率控制电流、线性操作等特点。

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MITSUBISHI ELECTRIC RA07M3843M 说明书

RA07M3843M是7.2伏特便携式收音机使用的7瓦特RF MOSFET放大器模块，该模块工作于378至430MHz范围内。电池可以直接连接到增强型MOSFET晶体管的漏极。没有栅极电压（VGG = 0V）时，只有很少的漏电流流入漏极，RF输入信号衰减高达60 dB。随着栅极电压的增加，输出功率和漏极电流增加。在栅极电压约2.5V（最小）时，输出功率和漏极电流会大幅增加。在3V（典型）和3.5V（最大）时，标称输出功率可用。在VGG=3.5V时，典型栅极电流为1 mA。该模块设计用于非线性FM调制，但也可以通过设置栅极电压来设置漏极静态电流并通过输入功率来控制输出功率，从而用于线性调制。