三菱说明书大全

RD01MUS2是用于VHF/UHF射频放大器应用的MOS FET型晶体管。该器件具有内部的单片齐纳二极管，从门极到源极用于ESD保护。

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RD02MUS1B是用于VHF/UHF射频功率放大器应用的MOS FET类型晶体管，通过优化MOSFET结构，提高了RD02MUS1B的漏极电流。

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RD02MUS2是用于VHF/UHF射频功率放大器应用的MOS FET型晶体管。该器件具有从栅极到源极的内部单片齐纳二极管，用于ESD保护。

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RD05MMP1是射频功率MOSFET器件，适用于941MHz频段手机射频功放输出级。

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RD07MUS2B 是一款专为 VHF/UHF/870MHz RF 功率放大器应用设计的 MOS FET 型晶体管。

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RD07MVS1是一款专为VHF/UHF射频功放应用设计的MOS FET类型晶体管。它具有高功率增益、高效率和RoHS合规性。

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RD07MVS2是一种MOS FET型晶体管，专门设计用于VHF / UHF RF功率放大器应用。该器件具有内部单片机锗二极管，用于ESD保护。

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RD09MUP2是一种特殊设计用于UHF射频功率放大器应用的MOS FET型晶体管，具有高功率增益和高效率。

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RD100HHF1 是一款射频功率 MOS 晶体管，专为 HF 高功率放大器应用而设计。

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RD12MVS1是一种MOS FET型晶体管，专为VHF RF功率放大器应用而设计。具有高功率增益和高效率。

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RD15HVF1是一种MOS FET型晶体管，专为VHF/UHF高功率放大器应用而设计。具有高功率、高增益和高效率的特点。适用于VHF/UHF频段移动无线电台的输出级。

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RD20HMF1是一种用于900MHz频段射频功率放大器应用的MOS FET型晶体管，具有高功率增益和高效率。

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RD30HUF1是射频功率MOSFET，用于UHF射频功率放大器应用，最大输出功率30W，工作频率520MHz，高效率55%

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RD30HVF1 是 RD 公司的一款 MOS FET 型晶体管，专门设计用于 VHF RF 功率放大器应用。其特点是高功率增益、高效率和低成本。

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RD45HMF1是Nexperia公司生产的一款MOSFET型晶体管，该晶体管专门设计用于900MHz频段的高功率放大器应用。它的特点是高功率和高增益，输出功率可达45W，增益可达4.7dB。它适用于800-900MHz频段移动收音机的高功率放大器的输出级。

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RD60HUF1是一种MOS FET型晶体管，专门设计用于UHF高功率放大器应用。其特点包括高功率和高增益，功率输出大于60W，增益大于7.7dB @ Vdd=12.5V，频率为520MHz。具有高效率，UHF频段上为55%typ。适用于UHF频段移动无线电集的高功率放大器输出级。

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RD70HHF1是罗氏化学(ROHM)公司生产的一款高功率MOSFET型晶体管，专门设计用于HF射频功率放大器应用。该晶体管具有高功率和高增益特性，输出功率可达70W，增益可达13dB。RD70HHF1还具有高效率特性，在HF频段上的效率可达60%。该晶体管适用于HF频段移动无线电机组的高功率放大器输出级。

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RD70HVF1是一种MOS FET型晶体管，专为VHF/UHF高功率放大器应用而设计。特点包括高功率和高增益，在VHF频段时，Pout>70W，Gp>10.6dB @Vdd=12.5V,f=175MHz，在UHF频段时，Pout>50W，Gp>7.0dB @Vdd=12.5V,f=520MHz；高效率，在VHF频段时，60%typ.，在UHF频段时，55%typ.。适用于VHF/UHF频段移动无线电设备中的高功率放大器的输出级。符合RoHS指令。

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