三菱说明书大全

RA60H4047M1是一款60瓦RF MOSFET放大器模块，适用于工作在400-470MHz范围内的12.5伏移动收音机。这款模块可以连接到MOSFET晶体管的漏极，并提供60W的输出功率。

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RA60H4452M1 60W 12.5V 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO是ROHS 标准的RF MOSFET Amplifier Module，工作频率范围是440-520MHz，可以通过设置栅极电压来设置静态漏极电流，并通过输入功率来控制输出功率。

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该文档介绍了RA01L8693MA型号的硅射频功率半导体器件的特点和特性，包括其用途、电压要求、输出功率等。

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RA01L9595M是一款1.4瓦特的RF MOSFET放大器模块。它具有增强型MOSFET晶体管，输出功率和电流随栅极电压的升高而增加。当栅极电压约为0.5V（最小值）时，输出功率和电流会显着增加。在VGG=2.0V时，典型栅极电流为1mA。

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这是RA02M8087MD的产品手册，该产品是一款34dBm输出功率的RF MOSFET放大器模块，适用于7.2伏特的便携式收音机，工作频率为806-869MHz。

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RA03M8087M是RaSilicon公司推出的3.6W RF MOSFET放大器模块，工作电压为7.2V，适用于806-870MHz频段的便携式无线电设备。该模块可以直接连接到MOSFET增强型栅极，无需外部电源。当栅极电压为0V时，漏极电流很小，RF输入信号衰减高达60dB。随着栅极电压的增加，输出功率和漏极电流也随之增加。当栅极电压达到2.5V时，输出功率和漏极电流大幅增加。当栅极电压为3V时，输出功率达到最大值。当栅极电压为3.5V时，典型栅极电流为1mA。该模块可用于非线性FM调制，也可以通过设置栅极电压和输入功率来进行线性调制。

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RA06H8285M是一种12.5伏特的6瓦RF MOSFET放大器模块，适用于820-851兆赫范围内的移动收音机。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有宽频带频率范围，低功耗控制电流和线性操作能力。

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RA03M8894M是一款3.6瓦RF MOSFET放大器模块，适用于7.2伏特便携式收音机，工作频率范围为889-941MHz。

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RA03M9595M是RASilicon公司生产的一款3.0-watt RF MOSFET Amplifier Module，它具有以下特点：1. 该模块的输出功率和漏电流随着栅极电压的增加而增加；2. 在栅极电压达到2.5V（最低）时，输出功率和漏电流会大幅增加；3. 在VGG=3.5V时，典型的栅极电流为1 mA。

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RA05H8693M是硅射频功率半导体，符合RoHS标准，频率范围为866-928MHz，功率为5W，电压为14V，采用3级放大器。

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RA05H9595M是一款5瓦的射频MOSFET放大器模块，工作频率范围为952-954MHz，具有增益模式MOSFET晶体管、输出功率和漏极电流随门电压的增加而增加等特点

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RA13H8891MA是13-watt RF MOSFET Amplifier Module，用于12.5-volt mobile radios，工作频率为889-915MHz。

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RA13H8891MB是一款13瓦RF MOSFET放大器模块，适用于12.5伏移动收音机，工作频率为880至915MHz。

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该产品是Silicon的RA20H8087M-101型号的射频功率模块，最大输出功率为20W，工作频率为806-870MHz。

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RA20H8994M 是一款 20 瓦 RF MOSFET 放大器模块，适用于 12.5 伏移动无线电，频率范围为 896 至 941 MHz。

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RA45H7687M1是一款45瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于12.8伏特移动无线电，工作于763至870兆赫范围。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有宽频带频率范围、高功率输出和高效率。

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RA18H1213G是一款18瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于在1.24-1.30 GHz范围内运行的12.5伏移动收音机。该模块具有增强型MOSFET晶体管，宽频带频率范围，低功耗控制电流等特点。

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RD00HHS1是Rohm推出的一款RF功率MOSFET产品，具有高功率增益和低功耗特性，适用于HF频段的功放应用

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RD00HVS1是一种特殊设计用于VHF/UHF射频放大器应用的MOS FET型晶体管。具有高功率增益Pout>0.5W，Gp>20dB @Vdd=12.5V，f=175MHz。

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RD01MUS1是飞利浦公司生产的一款MOS FET型三极管，专门设计用于VHF/UHF RF放大器应用。

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