三菱说明书大全

MGFK41A4045是松下公司生产的一款GaAs功率FET，适用于14.0-14.5GHz波段放大器。产品具有高输出功率、高线性功率增益等特点，建议工作条件为VDS=10V、ID=3.0A、RG=50ohm。

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MGFK44A4045是一种内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为在14.0-14.5 GHz频段放大器中使用而设计。密封金属陶瓷封装保证了高可靠性。

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MGFK25V4045是英飞凌公司推出的一款内部匹配的GaAs功率FET，专为14.0-14.5GHz频段放大器设计。该器件具有高功率输出、高线性增益和高功率附加效率等特点，适用于14.0-14.5GHz频段功率放大器。

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MGFK30V4045是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为14.0-14.5GHz频段放大器而设计。该产品具有封装可靠，高输出功率，高线性增益和高功率附加效率的特点。

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MGFK33V4045是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为14.0-14.5 GHz频段放大器设计。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。

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MGFK35V4045是用于14.0-14.5GHz频段放大器的内部阻抗匹配GaAs功率FET。该产品具有高输出功率、高线性功率增益和高功率附加效率。

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MGFK37V4045是用于14.0-14.5GHz频段功率放大器的内部匹配GaAs功率FET。该器件具有高输出功率、高线性功率增益和高功率附加效率。

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MGFK39V4045是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为14.0 - 14.5 GHz频段放大器而设计。该设备具有高输出功率、高线性功率增益和高功率附加效率。

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MGFX36V0717是射频功率场效应管，特点是内部阻抗匹配，高输出功率（4W），高线性功率增益（8dB），高功率附加效率（28%）

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MGFX39V0717是由Murata生产的一种高功率、高增益、高效率的GaAs FET，主要用于10.7-11.7GHz频段的功率放大器，最大输出功率为8W

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BA01232是一款GaAs RF放大器，设计用于W-CDMA手持电话。具有低压、高功率、高增益、内部匹配等特点。

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BA01303是一款采用InGaP HBT技术的三频段（EGSM900/DCS1800/PCS1900）前端模块，适用于手持电话。具有低电压操作、高输出功率、单电源控制终端、带选择开关、发射/接收选择开关等特点。

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该文件是关于MITSUBISHI SEMICONDUCTOR MGFS36E2527的规格说明书，主要介绍了产品的特点、应用场景等信息。

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RA07H0608M是RASilicon公司生产的7W 12.5V RF MOSFET放大器模块，工作频率在68-88MHz范围内，适用于便携式收音机。

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RA07M0608M是一款7瓦RF MOSFET放大器模块，适用于在66至88MHz范围内工作的7.2伏便携式无线电。它具有增强型MOSFET晶体管，具有低功耗控制电流和宽频带频率范围。

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该产品是6.5瓦特的RF MOSFET放大器模块，适用于在135-175MHz范围内工作的7.2伏特便携式收音机。该模块可用于非线性FM调制，但也可以通过设置栅极电压并用输入功率控制输出功率来用于线性调制。

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该产品是一款6.7瓦的RF MOSFET放大器模块，可用于7.2伏特的便携式收音机，该收音机工作在135-175MHz频段。

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RA08H1317M 是RASilicon公司生产的一款8瓦12.5V的RF MOSFET放大器模块，适用于135-175MHz频率范围内的便携式收音机

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