三菱说明书大全

MGFS45A2527B是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为2.5-2.7GHz带宽放大器而设计。该产品具有高可靠性，封装采用密封金属陶瓷包装。

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该数据表格为 MGFS45V2123A 的参数列表。MGFS45V2123A 是一款内阻匹配的 GaAs 功率 FET，专为 2.1-2.3 GHz 频段放大器而设计。

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MGFS45V2325A是一种内部匹配的GaAs功率FET，特别设计用于2.3-2.5 GHz频段放大器。金属陶瓷封装保证了高可靠性。

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MGFS45V2527A是松下公司生产的一款高功率GaAs晶体管，其特点是内部阻抗匹配，工作频率为2.5-2.7GHz，功率输出可达32W，功率增益高达12dB，电源额定功率为88W，存储温度为-65℃至175℃。

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MGFS45V2735是松下公司生产的一款GaAs功率场效应晶体管，具有高输出功率、高增益和高功率附加效率的特点，适用于2.7-3.5GHz频段功率放大器和数字无线电通信等领域。

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MGFS48B2122是Mitsubishi Electric Corporation制造的60W推挽型GaAs功率FET，专为2.11-2.17GHz带宽放大器而设计。该产品具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率，可应用于W-CDMA基站的2.11-2.17GHz带宽功率放大器。

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MGFS48V2527是三菱电机生产的一款60W功率增益为10dB的GaAs功率晶体管，应用于2.5-2.7GHz频段功率放大器中。

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该数据手册提供了MGFS52BN2122A产品的规格、特性及使用建议等信息。

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MGFC36V4450A是东芝公司推出的一款GaAs功率FET，专为4.4-5.0GHz频段的功率放大器应用而设计。该产品内部匹配50欧姆系统，具有高输出功率、高增益、高功率附加效率和低失真等特点。

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MGFC36V5258 是一款 5.2 – 5.8 GHz 带内 4W 的功率 GaAs FET，专为 5.2 – 5.8 GHz 带内放大器而设计。金属-陶瓷封装保证了其高可靠性。

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该文件介绍了一种频率为5.9-6.4 GHz的C波段匹配功率GaAs FET。该器件具有高输出功率、高功率增益、高功率添加效率和低失真等特点，适用于5.9-6.4 GHz频段的功放和数字无线通信应用。

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MGFC36V6472A是由东芝公司生产的一种高功率GaAs晶体管，主要应用于6.4-7.2GHz频段功率放大器。

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MGFC39V3436是松下公司生产的内部匹配的GaAs功率晶体管，专为使用于3.4 - 3.6GHz频段放大器而设计。该晶体管采用金属陶瓷封装，具有很高的可靠性。

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MGFC40V4450是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为4.4-5.0GHz带宽放大器而设计。该设备具有出色的输出功率、增益和效率。

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MGFC40V5258是一款用于5.2-5.8GHz频段放大器的内阻匹配GaAs功率场效晶体管，具有高可靠性。

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MGFC40V5964是一款在5.9 - 6.4 GHz频段放大器中使用的内部匹配的GaAs功率FET。其具有高输出功率、高功率增益、高功率添加效率和低失真等特点。

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MGFC40V6472是6.4 - 7.2 GHz频段功率放大器中使用的内部阻抗匹配的GaAs功率FET

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MGFC42V3436是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为3.4 - 3.6 GHz频段放大器而设计。该设备采用金属陶瓷封装，具有高可靠性。

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MGFC42V4450是一种用于4.4-5.0 GHz频段放大器的内部匹配的GaAs功率FET。该产品具有高输出功率、高功率增益、高功率添加效率和低失真等特点。

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