三菱说明书大全
MITSUBISHI MGF1954A 说明书
MGF1954A是三菱电机生产的一种功率GaAs FET,它被设计用于S到Ku波段功率放大器。该器件具有高增益和高P1dB,其典型值分别为5.0dB和23dBm。该器件适用于S到Ku波段低噪声放大器。
文件类型: PDF 大小:161 KB
MITSUBISHI MGF2407A 说明书
MGF2407A是三菱电机生产的N型肖特基栅高功率GaAs FET,适用于S到Ku波段功率放大器。该器件具有高输出功率、高线性增益和高功率增益效率等特点。
文件类型: PDF 大小:121 KB
MITSUBISHI MGF2415A 说明书
MGF2415A是Mitsubishi Electric Corporation生产的一款GaAs FET,具有N型栅极,适用于S到Ku频段放大器。其特点是:高输出功率、高线性功率增益、高功率附加效率。
文件类型: PDF 大小:115 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF2430A 说明书
MGF2430A 是 Mitsubishi Electric 公司生产的一款高功率 GaAs FET,适用于 S 到 Ku 波段放大器。MGF2430A 具有高输出功率、高线性功率增益和高功率附加效率。
文件类型: PDF 大小:121 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF2445A 说明书
MGF2445A是三菱电气推出的一款S到Ku波段的功率GaAs FET,具有高输出功率和高线性功率增益,可用于S到Ku波段功率放大器。
文件类型: PDF 大小:117 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF4851A 说明书
MGF4851A是三菱电机生产的一款功率型InGaAs HEMT,应用于S到K波段放大器,具有高增益和高P1dB,典型值分别为11dB和14.5dBm。
文件类型: PDF 大小:229 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF0904A 说明书
MGF0904A 是用于 UHF 频段功率放大器的 GaAs FET。其特征为高输出功率 (Po=28.0dBm)、高功率增益 (Gp=13.0dB) 和高功率附加效率 (P.A.E =40%)。
文件类型: PDF 大小:153 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF0905A 说明书
该文件介绍了MGF0905A高功率GaAs FET,它适用于UHF频段放大器,具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率的特点。
文件类型: PDF 大小:152 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF0906B 说明书
MGF0906B是N通道肖特基栅极的GaAs FET,设计用于UHF频段放大器。该器件具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。可用于UHF频段功率放大器。
文件类型: PDF 大小:176 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF0912A 说明书
MGF0912A是一种高功率GaAs FET,用于L/S波段放大器。具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率。适用于L/S波段功率放大器。
文件类型: PDF 大小:168 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF0916A 说明书
MGF0916A 是 L&S BAND / 0.2W SMD non - matched 系列的产品,它的特点是高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。
文件类型: PDF 大小:108 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF0917A 说明书
该文档介绍了MGF0917A GaAs FET,它是一种高功率增益级放大器,适用于UHF频段放大器。它具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率等特点。
文件类型: PDF 大小:106 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF1601B 说明书
MGF1601B是N沟道肖特基栅极的中功率GaAs FET,设计用于S到X频段放大器和振荡器。该设备具有高线性功率增益和高P1dB,适用于微带电路。
文件类型: PDF 大小:208 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF1801B 说明书
该文件介绍了MGF1801B高功率GaAs FET,适用于S到X波段放大器和振荡器。具有高线性功率增益和高P1dB。适用于S到X波段中功率放大器和振荡器。
文件类型: PDF 大小:215 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGF1801BT 说明书
MGF1801BT是N沟道肖特基栅极、中功率GaAs FET,用于S至X波段放大器和振荡器。该器件具有较高的线性功率增益和较高的P1dB。
文件类型: PDF 大小:111 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGFS45B2527B 说明书
该产品为MGFS45B2527B,是一款2.5 - 2.7 GHz频段的30W功率GaAs FET,内部阻抗匹配,采用金属陶瓷封装,可保证高可靠性。其特点包括:Class AB工作模式、内置50(ohm)系统匹配、高输出功率、高功率增益、低失真等。
文件类型: PDF 大小:173 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGFL45V1920A 说明书
MGFL45V1920A是松下公司生产的一款功率场效应晶体管,适用于1.9-2.0GHz频段功放应用,具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真等特点
文件类型: PDF 大小:119 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGFL48V1920 说明书
MGFL48V1920是一款60W的推挽型GaAs功率FET,特别设计用于1.9-2.0 GHz频段放大器。密封的金属陶瓷封装保证了高可靠性。
文件类型: PDF 大小:317 KB
MITSUBISHI ELECTRIC MGFS44V2735 说明书
MGFS44V2735是一款2.7-3.5 GHz带宽放大器专用的内部匹配的GaAs功率FET。采用金属陶瓷封装,具有高可靠性。
文件类型: PDF 大小:131 KB