三菱说明书大全

MGFC39V7177A是一种C波段的内部匹配功率GaAs FET，特别设计用于7.1-7.7 GHz频段放大器。金属陶瓷封装保证了高可靠性。该产品具有A类工作，内部匹配到50欧姆系统，高输出功率P1dB=8W（典型值），高功率增益GLP=8.0dB（典型值），高功率增益效率P.A.E.=28%（典型值），低失真。适用于7.1-7.7 GHz频段的功率放大器和数字无线通信。

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MGFC39V7785A 7.7 – 8.5 GHz BAND / 8W是东芝推出的一款功率FET，它具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率等特点，适用于7.7 - 8.5 GHz频段的功率放大器和数字无线通信。

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MGFC40V3742是射频功率放大器中的高性能器件，其具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真特性，适用于3.7-4.2GHz频段的功率放大器和数字无线电通信等应用。

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MGFC41V3642是一种用于3.6-4.2 GHz频段放大器的GaAs功率FET，具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率等特点。

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MGFC41V5964是5.9-6.4GHz频段内置匹配的GaAs功率场效应晶体管，专为5.9-6.4GHz频段放大器而设计。该产品采用金属陶瓷密封封装，可保证高可靠性。

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MGFC41V6472是一款内部匹配的功率GaAs FET，专为6.4-7.2 GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装确保高可靠性。

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MGFC41V7177是用于7.1-7.7GHz带的内部匹配GaAs功率晶体管，具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真。

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5.8 ~ 6.75GHz频带的16W内置匹配GaAs FET

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MGFC42V6472A 是一款内部匹配的 GaAs 功率 FET，专为 6.4 - 7.2 GHz 频段放大器而设计。

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MGFC42V7785A是内部匹配的GaAs功率FET，专为7.7-8.5 GHz带宽放大器而设计。该产品具有高可靠性，采用金属-陶瓷封装，具有高输出功率、高增益和高效率。

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MGFC44V3642是一款内部匹配的GaAs功率场效应晶体管，专为在3.6-4.2GHz频段放大器中使用而设计。该产品具有高度可靠性，采用钎焊密封的金属陶瓷封装。

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MGFC44V6472是一款内部匹配的GaAs功率FET，专为用于6.4-7.2GHz带宽放大器而设计。该密封金属陶瓷封装保证了高可靠性。

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MGFC45V3436A是一款3.4-3.6GHz频段的32W功率增益GaAs FET，具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真特性。

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MGFC45V3642A是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为用于3.6-4.2GHz频段放大器而设计。该设备具有高可靠性，并提供高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

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MGFC45V6472A 是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专门设计用于6.4-7.2GHz 频段放大器。该产品具有高可靠性，采用金属陶瓷封装。

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MGFC47A7785 为高功率 GaAs 晶体管，工作频率为 7.7 GHz 至 8.5 GHz，工作模式为 A 类，功率输出为 47W，具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。适用于卫星地球站通信发射机和 VSAT 的固态功率放大器

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该文档介绍了一款13.75-14.50 GHz频段的内部匹配功率GaAs场效应晶体管，适用于功放器。其具有高输出功率、高线性功率增益和高功率增益效率等特点。

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