三菱说明书大全

MGFC45V3642A是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为用于3.6-4.2GHz频段放大器而设计。该设备具有高可靠性，并提供高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

文件类型: PDF 大小:147 KB

MGFC45V6472A 是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专门设计用于6.4-7.2GHz 频段放大器。该产品具有高可靠性，采用金属陶瓷封装。

文件类型: PDF 大小:104 KB

MGFC47A7785 为高功率 GaAs 晶体管，工作频率为 7.7 GHz 至 8.5 GHz，工作模式为 A 类，功率输出为 47W，具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。适用于卫星地球站通信发射机和 VSAT 的固态功率放大器

文件类型: PDF 大小:128 KB

该文档介绍了一款13.75-14.50 GHz频段的内部匹配功率GaAs场效应晶体管，适用于功放器。其具有高输出功率、高线性功率增益和高功率增益效率等特点。

文件类型: PDF 大小:194 KB

MGFK41A4045是松下公司生产的一款GaAs功率FET，适用于14.0-14.5GHz波段放大器。产品具有高输出功率、高线性功率增益等特点，建议工作条件为VDS=10V、ID=3.0A、RG=50ohm。

文件类型: PDF 大小:104 KB

MGFK44A4045是一种内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为在14.0-14.5 GHz频段放大器中使用而设计。密封金属陶瓷封装保证了高可靠性。

文件类型: PDF 大小:174 KB

MGFK25V4045是英飞凌公司推出的一款内部匹配的GaAs功率FET，专为14.0-14.5GHz频段放大器设计。该器件具有高功率输出、高线性增益和高功率附加效率等特点，适用于14.0-14.5GHz频段功率放大器。

文件类型: PDF 大小:116 KB

MGFK30V4045是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为14.0-14.5GHz频段放大器而设计。该产品具有封装可靠，高输出功率，高线性增益和高功率附加效率的特点。

文件类型: PDF 大小:115 KB

MGFK33V4045是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为14.0-14.5 GHz频段放大器设计。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。

文件类型: PDF 大小:133 KB

MGFK35V4045是用于14.0-14.5GHz频段放大器的内部阻抗匹配GaAs功率FET。该产品具有高输出功率、高线性功率增益和高功率附加效率。

文件类型: PDF 大小:138 KB

MGFK37V4045是用于14.0-14.5GHz频段功率放大器的内部匹配GaAs功率FET。该器件具有高输出功率、高线性功率增益和高功率附加效率。

文件类型: PDF 大小:136 KB

MGFK39V4045是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为14.0 - 14.5 GHz频段放大器而设计。该设备具有高输出功率、高线性功率增益和高功率附加效率。

文件类型: PDF 大小:97 KB

MGFX36V0717是射频功率场效应管，特点是内部阻抗匹配，高输出功率（4W），高线性功率增益（8dB），高功率附加效率（28%）

文件类型: PDF 大小:121 KB

MGFX39V0717是由Murata生产的一种高功率、高增益、高效率的GaAs FET，主要用于10.7-11.7GHz频段的功率放大器，最大输出功率为8W

文件类型: PDF 大小:127 KB

1

文件类型: PDF 大小:53 KB

BA01232是一款GaAs RF放大器，设计用于W-CDMA手持电话。具有低压、高功率、高增益、内部匹配等特点。

文件类型: PDF 大小:17 KB

BA01303是一款采用InGaP HBT技术的三频段（EGSM900/DCS1800/PCS1900）前端模块，适用于手持电话。具有低电压操作、高输出功率、单电源控制终端、带选择开关、发射/接收选择开关等特点。

文件类型: PDF 大小:86 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

该文件是关于MITSUBISHI SEMICONDUCTOR MGFS36E2527的规格说明书，主要介绍了产品的特点、应用场景等信息。

文件类型: PDF 大小:75 KB

RA07H0608M是RASilicon公司生产的7W 12.5V RF MOSFET放大器模块，工作频率在68-88MHz范围内，适用于便携式收音机。

文件类型: PDF 大小:145 KB