三菱说明书大全

RA07M3340M是一款7瓦RF MOSFET放大器模块，适用于在330-400MHz范围内工作的7.2伏便携式无线电。具有增强型MOSFET晶体管，可直接将电池连接到漏极。具有宽带频率范围、低功率控制电流、线性操作等特点。

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RA07M3843M是7.2伏特便携式收音机使用的7瓦特RF MOSFET放大器模块，该模块工作于378至430MHz范围内。电池可以直接连接到增强型MOSFET晶体管的漏极。没有栅极电压（VGG = 0V）时，只有很少的漏电流流入漏极，RF输入信号衰减高达60 dB。随着栅极电压的增加，输出功率和漏极电流增加。在栅极电压约2.5V（最小）时，输出功率和漏极电流会大幅增加。在3V（典型）和3.5V（最大）时，标称输出功率可用。在VGG=3.5V时，典型栅极电流为1 mA。该模块设计用于非线性FM调制，但也可以通过设置栅极电压来设置漏极静态电流并通过输入功率来控制输出功率，从而用于线性调制。

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RA07M4047M是一款7瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于7.2伏的便携式收音机，工作频率范围为400-470MHz。

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RA07M4047MSA是7.2伏特便携式无线电的7瓦射频MOSFET放大器模块，该无线电工作在400到470兆赫范围内。

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RA07M4452M是一种7瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于在440-520MHz范围内工作的7.2伏便携式收音机。它具有增强模式MOSFET晶体管，宽频带频率范围，低功耗控制电流和线性操作能力。

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RA07M4452MSA是一款7瓦的射频MOSFET放大器模块，适用于440-520MHz范围内的7.2伏便携式无线电。它具有增强模式MOSFET晶体管，宽频带范围，低功耗控制电流等特点。

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RA07N3340M是一款9.6伏可携式无线电的7.5瓦射频MOSFET放大模块，适用于330-400兆赫范围内的操作。该模块采用增强模式MOSFET晶体管，具有宽频带范围、低功耗控制电流和线性操作的特点。

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RA07N4047M是RASilicon推出的一款7.5W RF MOSFET放大器模块，适用于9.6V便携式收音机，工作频率范围为400-470MHz。

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RA07N4452M是一款9.6伏便携式收音机的7.5瓦RF MOSFET放大器模块，适用于440-520兆赫范围内的操作。模块设计用于非线性FM调制，但也可通过设置栅极电压来控制静态漏极电流，并使用输入功率来控制输出功率来进行线性调制。

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RA13H3340M是Silicon RF Power Modules 品牌的13W 12.5V 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO产品，最大输出功率为13W，在330-400MHz频段内，采用了增强型MOSFET晶体管，无需外部偏置电压，可直接连接到电池的负极，使用较低的电压即可达到较高的功率输出，具有低功耗和高效率的特点。

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该文件介绍了一款用于12.5伏移动无线电的13瓦RF MOSFET放大器模块。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有宽频带频率范围、低功耗控制电流和线性运行等特点。

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RA13H4452M是一款13瓦的射频MOSFET放大器模块，适用于在440-520MHz范围内运行的12.5伏移动无线电。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有宽带频率范围，可通过设置栅极电压和控制输入功率来线性操作。

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RA30H3340M是一款30瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于12.5伏特的移动收音机，工作频率范围为330-400MHz。

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RA30H4047M-101是德州仪器的一款30W 12.5V射频功率放大器模块，工作频率范围为400-470MHz，采用增强模式MOSFET晶体管。

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该产品是一款30瓦的射频功率放大器模块，工作频率范围为400-470MHz，可用于移动电台。

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RA30H4452M 是 Silicon RF 推出的一款 30 瓦、12.5 伏的移动收音机射频功率模块，工作频率范围为 440 至 520MHz。

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RA30H4552M1是ROHS认证的450-520MHz 30W 12.5V，2级放大器。适用于移动电台

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该文件介绍了RA45H4045MR型号的硅射频功率模块，该模块适用于400-450MHz范围内的12.5V移动无线电。模块具有增强型MOSFET晶体管，输出功率大于45W，频率范围广泛，可实现线性和非线性调制。

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RA45H4047M是一款45瓦的射频MOSFET放大器模块，适用于在400-470MHz范围内工作的12.5伏移动无线电。它采用增强模式MOSFET晶体管，具有宽带频率范围、低功耗控制电流和线性操作等特点。

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