三菱说明书大全

RA18H1213G是一款18瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于在1.24-1.30 GHz范围内运行的12.5伏移动收音机。该模块具有增强型MOSFET晶体管，宽频带频率范围，低功耗控制电流等特点。

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RD00HHS1是Rohm推出的一款RF功率MOSFET产品，具有高功率增益和低功耗特性，适用于HF频段的功放应用

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RD00HVS1是一种特殊设计用于VHF/UHF射频放大器应用的MOS FET型晶体管。具有高功率增益Pout>0.5W，Gp>20dB @Vdd=12.5V，f=175MHz。

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RD01MUS1是飞利浦公司生产的一款MOS FET型三极管，专门设计用于VHF/UHF RF放大器应用。

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RD01MUS2是用于VHF/UHF射频放大器应用的MOS FET型晶体管。该器件具有内部的单片齐纳二极管，从门极到源极用于ESD保护。

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RD02MUS1B是用于VHF/UHF射频功率放大器应用的MOS FET类型晶体管，通过优化MOSFET结构，提高了RD02MUS1B的漏极电流。

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RD02MUS2是用于VHF/UHF射频功率放大器应用的MOS FET型晶体管。该器件具有从栅极到源极的内部单片齐纳二极管，用于ESD保护。

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RD05MMP1是射频功率MOSFET器件，适用于941MHz频段手机射频功放输出级。

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RD07MUS2B 是一款专为 VHF/UHF/870MHz RF 功率放大器应用设计的 MOS FET 型晶体管。

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RD07MVS1是一款专为VHF/UHF射频功放应用设计的MOS FET类型晶体管。它具有高功率增益、高效率和RoHS合规性。

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RD07MVS2是一种MOS FET型晶体管，专门设计用于VHF / UHF RF功率放大器应用。该器件具有内部单片机锗二极管，用于ESD保护。

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RD09MUP2是一种特殊设计用于UHF射频功率放大器应用的MOS FET型晶体管，具有高功率增益和高效率。

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RD100HHF1 是一款射频功率 MOS 晶体管，专为 HF 高功率放大器应用而设计。

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RD12MVS1是一种MOS FET型晶体管，专为VHF RF功率放大器应用而设计。具有高功率增益和高效率。

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RD15HVF1是一种MOS FET型晶体管，专为VHF/UHF高功率放大器应用而设计。具有高功率、高增益和高效率的特点。适用于VHF/UHF频段移动无线电台的输出级。

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RD20HMF1是一种用于900MHz频段射频功率放大器应用的MOS FET型晶体管，具有高功率增益和高效率。

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RD30HUF1是射频功率MOSFET，用于UHF射频功率放大器应用，最大输出功率30W，工作频率520MHz，高效率55%

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RD30HVF1 是 RD 公司的一款 MOS FET 型晶体管，专门设计用于 VHF RF 功率放大器应用。其特点是高功率增益、高效率和低成本。

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