ROHM说明书大全
ROHM EMX4/UMX4N/IMX4 数据手册
EMX4 / UMX4N / IMX4 是 ROHM 公司生产的高频双晶体管，其最大转换频率可达 1.5GHz，输出电容仅为 0.9pF，在应用中表现出卓越的性能。
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ROHM IMX8 Data Sheet
该数据表格提供了IMX8Transistors的规格信息，包括外形尺寸、封装、引脚定义、极性、绝对最大额定值、电气特性、转换频率等
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ROHM IMX9 说明书
IMX9是ROHM推出的一款双管NPN晶体管，其封装为SMT6，额定功耗为300mW（每个元件不超过200mW），最大集电极-发射极电压20V，最大集电极-基极电压25V，最大发射极-基极电压12V，最大集电流500mA，结温150℃，存储温度-55~+150℃。
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ROHM EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A 数据手册
EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A是罗姆公司生产的双晶体管，它集成了2SA1037AK和2SC2412K两颗芯片，封装采用EMT、UMT和SMT等多种类型，具有体积小、成本低、安装方便等优点。
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ROHM EMZ2 / UMZ2N / IMZ2A 数据手册
该文档介绍了EMZ2 / UMZ2N / IMZ2A三种型号的双晶体管的特点和特性，包括其等效电路、绝对最大值、封装规格和外部尺寸等信息。
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ROHM EMB11/UMB11N/IMB11A 数据手册
这份文件介绍了ROHM的EMB11 / UMB11N / IMB11A PNP -100mA -50V复合数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）的特点和特性。它具有内置偏置电阻器，可以配置反相器电路而无需连接外部输入电阻器。偏置电阻器由薄膜电阻器组成，可以完全隔离负偏置，消除寄生效应。使用时只需设置开/关条件，设计电路变得简单。
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ROHM IMB2A Data Sheet
该数据手册详细说明了EMB2/UMB2N/IMB2A的特点、应用场景、封装尺寸、典型电气特性、封装规格、绝对最大工作条件、典型应用电路等信息。
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ROHM EMD2/UMD2N/IMD2A 说明书
EMD2 / UMD2N / IMD2A 是罗姆生产的一款双数字晶体管，该晶体管采用EMT或UMT或SMT封装，具有较高的抗干扰能力，且安装成本和面积可以减半。
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ROHM EMD3/UMD3N/IMD3A 说明书
EMD3 / UMD3N / IMD3A是一种双数字晶体管，具有独立的晶体管元件，可以减少干扰，降低安装成本和面积。
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ROHM EMH1/UMH1N/IMH1A 说明书
EMH1 / UMH1N / IMH1A是ROHM公司生产的一款双晶体管，内置偏置电阻，具有50V的最大电压，100mA的最大电流，可用于开关电路、接口电路、驱动电路。
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ROHM EMH2/UMH2N/IMH2A 说明书
本文档介绍了EMH2 / UMH2N / IMH2A NPN 100mA 50V复杂数字晶体管（带偏置电阻的晶体管）的特点特性，它们具有内置偏置电阻，可以配置反相器电路而无需连接外部输入电阻。偏置电阻由薄膜电阻器组成，与输入完全隔离，可以实现负偏置，完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可进行操作，使电路设计简单。
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ROHM UMH5N/IMH5A 说明书
该文件介绍了ROHM Co., Ltd.生产的UMH5N / IMH5A NPN 100mA 50V复合数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）的特点和特性。它具有内置的偏置电阻，可以配置反相器电路而无需连接外部输入电阻。偏置电阻由薄膜电阻器组成，完全隔离，可以实现负偏置输入。它还具有完全消除寄生效应的优点。只需设置开/关条件即可进行操作，使电路设计变得简单。
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ROHM EMH6/UMH6N/IMH6A 数据手册
本数据手册提供有关EMH6/UMH6N/IMH6A NPN 100mA 50V复杂数字晶体管（带有内置偏置电阻器）的详细信息，包括其特性、规格、应用以及其他信息。
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ROHM IMH9A Data Sheet
EMH9 / UMH9N / IMH9A 是罗姆公司生产的一款双NPN 100mA 50V复杂数字晶体管，内置偏置电阻，外部连接外部输入电阻，并且具有完全消除寄生效应的优点
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