ROHM说明书大全

ROHM IMD16A 说明书

IMD16A是罗姆公司生产的一款双数字电晶体,采用贴片封装,电源电压范围为-50~-12V,电流输出范围为5~500mA,具有低压饱和电压,功耗低的特点。

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ROHM EMB3/UMB3N/IMB3A Data Sheet(1)

该数据手册详细介绍了EMB3 / UMB3N / IMB3A三款产品的特点特性,包括封装、引脚定义、规格参数等

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ROHM EMD6/UMD6N/IMD6A 说明书

EMD6 / UMD6N / IMD6A 是罗姆半导体推出的一款双数字晶体管,具有结构简单、可靠性高等特点。

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ROHM UMH14N/IMH14A 说明书

UMH14N / IMH14A是一种通用双数字晶体管,具有两个DTC144T芯片。它具有50V的集电极-基极击穿电压,50V的集电极-发射极击穿电压,5V的发射极-基极击穿电压,100mA的集电极电流和300mW的功耗。该产品具有小尺寸和高性能。

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ROHM EMH15/IMH15A 说明书

EMH15 / IMH15A是ROHM公司生产的NPN数字复合晶体管,带有内置的偏置电阻。它可以用于反相器电路、接口电路和驱动电路等应用。它具有内置的偏置电阻,无需连接外部输入电阻,可以轻松配置反相器电路。只需要设置开关条件即可进行操作,简化了电路设计。

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ROHM IMH21 说明书

IMH21双数字晶体管具有低饱和电压、高电流驱动等特点,适用于静音电路。

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ROHM IMH23 说明书

IMH23是双数字晶体管,具有低饱和电压、高电流输出、SMT封装等特点。

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ROHM EMH3/UMH3N/IMH3A 说明书

本文件是关于EMH3 / UMH3N / IMH3A NPN 100mA 50V复杂数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)的Datasheet

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ROHM EMB3/UMB3N/IMB3A Data Sheet

EMH4 / UMH4N / IMH4A NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)是ROHM公司推出的一款数字复杂晶体管产品。该产品具有内置偏置电阻器、两个DTC114T芯片在一颗封装中、无需连接外部输入电阻器、完全隔离的薄膜电阻器、消除寄生效应、只需设置开/关条件即可操作等特点。

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ROHM UMH8N/IMH8A Data Sheet

UMH8N / IMH8A是一种双数字晶体管,具有通用用途。该产品包含两个DTC114T芯片,采用EMT、UMT或SMT封装。具有高频率、低功耗、低电压、高电流等特点。

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ROHM QSX2 General purpose amplification (30V, 5A)

QSX2是ROHM公司生产的一款NPN型中功率晶体管。该款晶体管具有功率大、低压饱和电压、导通电阻小等特点,适用于中功率驱动电路。

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ROHM QST5 说明书

QST5晶体管产品说明书,该产品适用于低频放大器,具有大电流和低压降的特点

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ROHM QST4 说明书

这份文件是关于QST4型号的Transistors Rev.C 1/2 低频放大器的应用和特点。其特点包括:1)大的集电流;2)最大VCE(sat)为-250mV,在IC=-1.5A,IB=-30mA时。该产品主要用作低频放大器驱动器。

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ROHM QST3 说明书

QST3 晶体管是一款低频放大器驱动器,具有大的电流和低的饱和电压。

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ROHM QST2 说明书

QST2 是 ROHM 公司生产的一款功率晶体管,它的应用场景包括低频放大器和驱动器。其特点是集电极电流大,集电极饱和电压低,集电极-发射极饱和电压为 -250mV,当集电极电流为 -3A 时,发射极电流为 -60mA。

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ROHM QST6 说明书

QST6是一种低频放大器和驱动器,具有大的集电极电流和低的饱和电压。它适用于低频放大器和驱动器应用。

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ROHM QST7 说明书

QST7晶体管是低频放大器,具有大电流和低饱和电压的特点。

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ROHM QSX1 说明书

QSX1 是 ROHM 生产的一款通用放大器,可以用于低频放大。其特点是集电极电流大,集电极饱和电压低。

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ROHM QSX3 说明书

qsx3是rohm公司的一款低频放大器,具有大电流和低压降的特点。主要应用于驱动电路。

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ROHM QSX4 说明书

QSX4 Transistors是ROHM公司生产的一款低频放大器,最大集电极电流为1.5A,集电极-发射极饱和电压为370mV。

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