Fairchild说明书大全

FQP45N15V2/FQPF45N15V2是Fairchild生产的150V N通道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异开关性能和高能脉冲承受能力，适用于DC到DC转换器、同步整流等应用。

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FQP45N15V2/FQPF45N15V2 是Fairchild 生产的一种 150V 的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件具有低开关阻抗、快速开关速度和高耐压等特点，适用于DC/DC 转换器、同步整流器等应用。

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该文档介绍了FQPF45N03L型号的30V LOGIC N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低电阻、快速开关、耐高能量脉冲等。

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FQPF44N08 N-Channel MOSFET 是一种由Fairchild生产的增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力。适用于汽车、高效率DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。

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FQPF3P50是一种由Fairchild生产的P通道增强型功率场效晶体管，它采用了平面条状DMOS技术，这种先进的技术经过专门定制，可以最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换流模式下承受高能脉冲。

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FQPF3P50是Fairchild生产的500V P通道MOSFET，采用Fairchild专有的planar stripe DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能和高能量脉冲承受能力等特点。

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该数据表是关于FQPF3P20 P通道QFET的数据表，包含了该产品的特点特性，如绝对最大额定值、热阻、电气特性等。

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FQPF3P20是飞利浦的一种P通道MOSFET器件，其最大电压为-200V，最大电流为-2.2A，开关特性优异，门控电荷为6.0nC，RDS(ON)为2.06Ω。

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FQPF3N90是Fairchild Semiconductor International生产的一款900V N通道MOSFET，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源。

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FQPF3N90 N-Channel MOSFET是一款由Fairchild公司生产的功率场效应晶体管，其特点是低导通电阻、优异的开关性能、高能量脉冲、高效率开关电源。

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FQP3N80C/FQPF3N80C是Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，采用DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源。

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FQP3N80C/FQPF3N80C是一款800V N沟道MOSFET功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，适用于高效开关电源。

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FQPF3N80是800V N沟道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能，可承受高能脉冲，适用于高效率开关电源。

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FQPF3N80是Fairchild公司生产的800V N沟道MOSFET，其特点是1.8A、800V、RDS(on) = 5.0Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为15 nC）、低Crss（典型值为7.0 pF）、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。

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这是一款来自Fairchild的600V N通道MOSFET，具有2.0A的最大电流，其RDS(on)仅为3.6Ω，低栅极电荷，低Crss，快速开关，100%的雪崩测试，并且具有改进的dv/dt能力。

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FQP3N50C/FQPF3N50C 500V N-Channel MOSFET 是一款由Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管。它具有低门极电荷(典型值为10 nC)、低Crss(典型值为8.5 pF)、快速开关和100%雪崩测试等特点。该器件适用于高效率开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。

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本文档为鼎好电子的QFET产品资料，主要介绍了QFET的相关技术信息，包括产品功能、技术特点、应用领域等。

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