Fairchild说明书大全
FAIRCHILD FQPF1N60 说明书
这份文档介绍了Fairchild Semiconductor International公司的FQPF1N60产品，它是一款600V N-Channel MOSFET功率场效应晶体管。该产品采用先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于高效率开关模式电源。
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FAIRCHILD FQT4N20 200V N-Channel MOSFET 说明书(1)
FQT4N20是一款200V N沟道MOSFET，具有低导通电阻、低门控电荷、低跨导等特点，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、DC-AC转换器、不间断电源、电机控制等场合。
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FAIRCHILD FQT4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书
FQT4N20L QFET 是 200V LOGIC N-Channel MOSFET，采用 Fairchild 专有的平面条纹 DMOS 技术，具有低 RDson、高开关速度、100% 雪崩测试、改进的 dv/dt 能力和低电平栅极驱动要求等特点。
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FAIRCHILD FQT4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书
FQT4N20L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管，该晶体管使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产，该技术专门针对最小化开启状态电阻、提供卓越的开关性能和承受高能量脉冲（在雪崩和换向模式下），这些器件非常适合用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、DC-AC转换器，用于不间断电源供应、电机控制。
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FAIRCHILD FQT4N25 250V N-Channel MOSFET 说明书(1)
FQT4N25是Fairchild生产的一种250V N沟道MOSFET。它的特点是低导通电阻、低栅极电荷、低反向电容，适用于高效率的开关DC/DC转换器和开关电源。
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FAIRCHILD FQT4N25 250V N-Channel MOSFET 说明书(1)(1)
FQT4N25是飞利浦公司生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用飞利浦公司的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲，适用于高效率的开关DC/DC转换器和开关模式电源。
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FAIRCHILD FQT5N20 200V N-Channel MOSFET 说明书
这份文件介绍了FQT5N20 QFET TM FQT5N20 200V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低电阻、快速开关和高能量脉冲耐受能力等。
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FAIRCHILD FQT5P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册
FQT5P10是一款P-Channel MOSFET，采用Fairchild公司自有的平面条纹DMOS技术生产。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和对高能量脉冲的耐受能力。适用于低压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
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FAIRCHILD FQT5P10 100V P-Channel MOSFET 说明书
FQT5P10是Fairchild生产的一款P型MOSFET，其特点包括低导通电阻、高效率开关性能和高能脉冲承受能力。适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制
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FAIRCHILD FQT7N10 100V N-Channel MOSFET 说明书
FQT7N10是一款1.7A，100V的N沟道MOSFET，它采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度和高抗浪涌能力的特点。这款器件非常适合音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。
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FAIRCHILD FQT7N10 100V N-Channel MOSFE 说明书
FQT7N10是飞思卡尔生产的100V N沟道MOSFET。该器件具有1.7A的持续电流和100V的最大漏源电压。其特点是低导通电阻、低门极电荷、快速切换和改善的dv/dt能力。该器件适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制。
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FAIRCHILD FQT7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书
FQT7N10L是Fairchild生产的一款100V逻辑N沟道MOSFET，其特点是RDS(on) = 0.35Ω @VGS = 10 V，低门极电荷（典型值为4.6 nC），低Crss（典型值为12 pF），快速开关，改进的dv/dt能力，低电平门极驱动要求，允许直接从逻辑驱动器操作。
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FAIRCHILD FQT4N20 200V N-Channel MOSFET 说明书
FQT4N20是Fairchild生产的一种200V N沟道增强型功率场效应晶体管，采用独特的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能和高能脉冲承受能力。该器件适用于高效率的开关DC/DC转换器、开关电源、DC-AC转换器、不间断电源和电机控制等应用。
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FAIRCHILD FQT3P20 200V P-Channel MOSFET 说明书
这份文件介绍了FQT3P20型号的产品特点和特性，是一款200V的P-Channel MOSFET功率场效应晶体管，具有低通态电阻，优异的开关性能和耐高能量脉冲的能力。
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FAIRCHILD FQT3P20 说明书
FQT3P20是一款200V P通道MOSFET，其特点是低导通电阻、高开关速度、低门极电荷和低Crss，适用于高效率开关DC/DC转换器。
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FAIRCHILD FQT2P25 数据手册(1)
FQT2P25是一款250V的P-Channel MOSFET，采用了Fairchild公司的专有DMOS技术。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力，非常适用于高效率开关式DC/DC转换器。
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FAIRCHILD FQT2P25 数据手册(1)(1)
FQT2P25是一款250V P-Channel MOSFET，采用Fairchild的专有DMOS技术生产。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲抗击穿和换流能力。适用于高效率开关DC/DC变换器。
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FAIRCHILD FQT13N06L 数据手册
FQT13N06L是飞兆半导体的60V LOGIC N-Channel MOSFET，具有低压降、低栅极电荷、低跨导、快速开关和改进的dv/dt能力等特点。
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FAIRCHILD FQT13N06 说明书
这是一篇关于FQT13N06 60V N-Channel MOSFET的文档，介绍了该产品的特点和特性，包括低电压应用、低电阻、高效能等。
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