Fairchild说明书大全

本文件为FDN352AP数据手册，介绍了FDN352AP的特点、特性、应用等信息

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FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低压低通道MOSFET，具有极低的导通电阻和高功率处理能力，适用于笔记本电脑电源管理等应用。

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该数据表格提供了FDN342P的规格信息，包括：产品型号、封装类型、引脚排列、最大工作电压、最大工作电流、最大工作功率、工作温度范围、封装尺寸等。

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FDN342P是鼎好的一种产品，它是一种高压、低漏电流的N沟道MOSFET。该产品的最大漏源电压为-20伏，最大栅源电压为±12伏，最大漏电流为-2安培。该产品的功耗为0.5瓦，工作温度范围为-55到+150摄氏度。

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FDN340P 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 P 通道逻辑级 MOSFET，它采用了 Fairchild Semiconductor 先进的 Power Trench 工艺，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低开态电阻，同时保持低栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用：负载切换和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

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FND340P是Fairchild Semiconductor公司生产的单P通道，逻辑级，PowerTrench MOSFET。该器件具有非常低的RDS(ON)，低栅极电荷，适用于便携式电子设备的开关和电源管理，电池充电电路和DC/DC转换等应用。

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这份文件介绍了一款P-Channel逻辑电平MOSFET的特点和特性。该MOSFET采用了先进的Power Trench工艺，具有低导通电阻和低门极电荷，以实现卓越的开关性能。该器件适用于便携式电子设备应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。

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FDN339AN N-Channel 2.5V Specified PowerTrench   MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 生产的具有高性能 trench 技术的 N 沟道 MOSFET，其 on-state 电阻和 gate 电荷都非常低，非常适用于 DC/DC 转换器和负载开关等应用。

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该文档介绍了一种单通道P型逻辑电平功率Trench MOSFET产品，采用Fairchild Semiconductor的先进工艺生产，具有低导通电阻、低门电荷和优异的开关性能等特点。适用于便携式电子设备应用，如负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。

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这份文件介绍了一款名为FQPF19N10的N沟道MOSFET功率场效应晶体管。该器件采用先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于低压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。

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FQPF19N10L是一款100V LOGIC N-Channel MOSFET，具有13.6A、100V、RDS(on) = 0.1Ω @VGS = 10 V等特点。

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FQPF19N10L是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为100V，典型导通电阻为0.1欧姆，可用于高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等应用。

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该文件介绍了QFET的库存、技术资料、百科信息和热点资讯

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这份文件介绍了FQPF20N06，这是一款60V N通道MOSFET，采用Fairchild的专有DMOS技术制造。它具有低导通电阻、优越的开关性能和高能量脉冲耐受能力的特点。该器件适用于汽车、DC/DC转换器和便携式电池操作产品中的低电压应用。

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FQPF1P50是Fairchild生产的一种500V P通道MOSFET，具有低导通电阻、快速开关、低门极电荷和高浪涌电流等特点。

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为客户提供现货库存、技术资料、百科信息、热点资讯，助您快速找到合适的产品

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本文档介绍了鼎好电子供应的QFET产品，包括QFET的概述、产品特点、应用领域等。

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该文档提供了关于QFET产品的现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯。QFET是一种具有特殊特性的产品，能够在特定条件下实现高效能和可靠性。它具有出色的性能和稳定的工作特性，广泛应用于各个领域。

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本文件主要介绍鼎好电子现货库存、技术资料、百科信息、热点资讯等内容

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