富士通说明书大全
FUJITSU SEMICONDUCTOR MB90590/590G Series DATA SHEET
该数据手册介绍了MB90590/590G系列16位F2MC-16LX微控制器的特性和功能。该系列微控制器具有两个FULL-CAN接口和FLASH ROM，专为汽车和工业应用而设计。
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FUJITSU MEDIA DEVICE G5/G6 Series DATA SHEET
Fujitsu G5/G6 series SAW dual filter是用于移动通信系统的双功能滤波器，它集成了两个SAW滤波器，具有体积小、重量轻、成本低的特点。该滤波器适用于700-2000MHz的频率范围，有2 in/2 out和1 in/2 out（2 in/1 out）两种封装类型可供选择。
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FUJITSU SEMICONDUCTOR FLASH MEMORY CMOS 16M (2M × 8/1M × 16) BIT MBM29LV160TE/BE -70/90/12 数据手册
这是一份关于 MBM29LV160TE/BE 的技术数据手册，它是一款 0.23 µm 工艺的闪存存储器，兼容 JEDEC 标准命令，支持 3.0 V 读、编程和擦除，最大访问时间为 70 ns。
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FUJITSU SEMICONDUCTOR MB98D81123/81223-15 DATA SHEET
本文档介绍了富士通闪存迷你卡的特点和特性，包括小尺寸、低成本、简单接口、高性能、低功耗等。该产品适用于数字摄影、音频录制、手持PC等小型便携设备。
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FUJITSU SEMICONDUCTOR MB84VD2118XA-85/MB84VD2119XA-85 DATA SHEET
这份数据表介绍了富士通半导体的堆叠MCP（多芯片封装）闪存和SRAM CMOS 16M（×8 / ×16）闪存和4M（×8 / ×16）静态RAM的特点和特性。
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FUJITSU SEMICONDUCTOR MB15F72UL DATA SHEET
MB15F72UL是一款串行输入的相位锁定环（PLL）频率合成器，具有1300 MHz和350 MHz的预分频器。可以选择64/65或128/129用于1300 MHz预分频器，以及8/9或16/17用于350 MHz预分频器，以实现脉冲吞入操作。采用BiCMOS工艺，供电电流通常为2.5 mA（2.7 V）。供电电压范围为2.4 V至3.6 V。经过改进的电荷泵提供平衡的输出电流，可通过串行数据选择1.5 mA和6 mA。数据格式与之前的MB15F02SL、MB12F72SP相同。采用新电路实现快速锁定。新的封装（BCC20）与以前的BCC16（用于双PLL）相比，减少了MB15F72UL的安装面积超过30％。MB15F72UL非常适用于无线移动通信，如CDMA。
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FUJITSU FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M 8/512 K 16) BIT MBM29SL800TD/BD-10/12
MBM29SL800TD/BD是富士通的8M-bit，1.8 V-only Flash memory，组织为1 Mbytes of 8 bits each or 512 Kwords of 16 bits each。该产品封装为48-pin TSOP (I) , 48-ball FBGA和48-ball SCSP。
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FUJITSU ASSP For Power Management Applications BIPOLAR Switching Regulator Controller (Switchable between push-pull and single-end functions) MB3759
MB3759是一款控制IC，适用于恒频脉宽调制开关稳压器。IC包含了开关稳压器控制电路所需的大部分功能，从而减少了元件数量和组装工作。
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FUJITSU MEDIA DEVICE DATA SHEET ASSP for Mobile Telephone VCO (230 to 2300 MHz) VC-50 Series
该数据手册介绍了VC-50系列VCO的特点，该系列VCO具有优异的C/N特性和低电流消耗，适用于CDMA、PCS、PHS和GSM移动通信设备。VC-50系列可以在230MHz到2300MHz范围内的任何频段使用。该器件采用了富士通媒体设备的高频设计技术、高密度封装技术和频率调整技术，除了高性能和小尺寸外，还提供了高可靠性。
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FUJITSU Resonator Piezoelectric Resonator (4 to 16 MHz) FAR Family (C4 series P/Q type) For Motor Application 数据手册
本文档介绍了Fujitsu C4系列(P/Q型)谐振器产品的特点特性，包括频率范围、温度特性、容量、封装等。
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FUJITSU MB85R1002 说明书
MB85R1002是一种FRAM芯片，由65,536个字x16位的非易失性存储单元组成，使用铁电工艺和硅门CMOS工艺技术制造。MB85R1002可以在不使用备用电池的情况下保持数据，这与SRAM不同。MB85R1002中使用的存储单元可以进行至少1010次读写操作，这是对Flash存储器和E2PROM所支持的读写操作次数的显着改进。MB85R1002使用与传统异步SRAM兼容的伪SRAM接口。
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