飞利浦说明书大全
PHILIPS BLF1822-10 UHF power LDMOS transistor 数据手册
BLF1822-10是一款UHF功率LDMOS晶体管，特点包括：输出功率为10W，增益为18.5dB至900MHz，13.5dB至2200MHz，效率为39%至900MHz，34%至2200MHz，dim为-31dBc至900MHz，-28dBc至2200MHz等。
文件类型: PDF 大小:158 KB
PHILIPS BLF1820-90 UHF power LDMOS transistor 数据手册
该文件介绍了BLF1820-90 UHF功率LDMOS晶体管的特点和特性，包括输出功率、增益、效率、抑制等性能指标，适用于GSM、EDGE和CDMA基站以及多载波应用。
文件类型: PDF 大小:107 KB
PHILIPS BLF1820-70 UHF power LDMOS transistor 数据手册
BLF1820-70是飞利浦推出的一款70W LDMOS功率晶体管，适用于GSM、EDGE和CDMA基站以及1800到2000MHz频率范围的多载波应用。
文件类型: PDF 大小:105 KB
PHILIPS BLF177 HF/VHF power MOS transistor 数据手册
BLF177是菲利普斯半导体生产的高功率MOS晶体管，具有高功率增益、低互调失真、易于控制功率、良好的热稳定性和满负荷匹配特性。
文件类型: PDF 大小:127 KB
PHILIPS BLF175 HF/VHF power MOS transistor 数据手册
BLF175是飞利浦公司生产的一种功率MOS管，具有高功率增益、低互调失真、易于控制功率、良好的热稳定性等特点
文件类型: PDF 大小:144 KB
PHILIPS BLF147 VHF power MOS transistor 数据手册
BLF147 VHF功率MOS晶体管是一款高功率增益、低互调失真、易于控制功率、良好的热稳定性和能够承受满负荷失配的硅N沟道增强型垂直D-MOS晶体管，专为HF/VHF频率范围内的工业和军事应用而设计。
文件类型: PDF 大小:88 KB
PHILIPS BLF1049 Base station LDMOS transistor 数据手册
BLF1049是飞利浦半导体生产的LDMOS功率晶体管，应用于GSM、EDGE和CDMA基站以及800到1000MHz频率范围的多载波应用，具有125W的输出功率、16.5dB的增益、54%的效率，并且具有良好的抗干扰性能。
文件类型: PDF 大小:108 KB
PHILIPS BLF1048 UHF power LDMOS transistor 数据手册
BLF1048是一款UHF功率LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制和良好的耐用性。它适用于UHF频率范围的通信发射机应用。
文件类型: PDF 大小:48 KB
PHILIPS BLF1047 UHF power LDMOS transistor 数据手册
BLF1047是飞利浦半导体生产的一款UHF功率LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制、优异的坚固性等特点，适用于通信发射应用于UHF频率范围。
文件类型: PDF 大小:48 KB
PHILIPS BLF1043 UHF power LDMOS transistor 数据手册
BLF1043 UHF功率LDMOS晶体管是一款高功率增益、易于功率控制、坚固耐用的晶体管，用于UHF频率范围的通信发射机应用。
文件类型: PDF 大小:56 KB
PHILIPS BLF0810-90; BLF0810S-90 Base station LDMOS transistors 数据手册
BLF0810-90和BLF0810S-90是飞利浦半导体生产的LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于控制功率、卓越的坚固性、底部源极消除了直流隔离器，减少了共模电感，并设计用于宽带工作（750MHz至1GHz）
文件类型: PDF 大小:143 KB
PHILIPS BLF0810-180; BLF0810S-180 Base station LDMOS transistors 数据手册
BLF0810-180和BLF0810S-180是基站LDMOS晶体管，适用于频率为800至1000 MHz的基站应用。它们具有良好的热稳定性，易于功率控制，高功率增益和优异的耐用性。
文件类型: PDF 大小:115 KB
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100A/B 数据手册
BUK456-100A/B是一种N沟道增强模式功率场效应晶体管，适用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器等多种应用。它具有100V的漏极-源极电压、34A的漏极电流、150W的总功耗和175°C的结温等特性。
文件类型: PDF 大小:53 KB
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-200A/B 数据手册
BUK456-200是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，适用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC变换器等应用。
文件类型: PDF 大小:65 KB
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100B 数据手册(1)
BUK456-1000B是飞利浦半导体的N沟道增强型场效应功率晶体管，封装为TO220AB，额定漏源电压为1000V，额定漏极电流为3.1A，额定总功耗为125W。
文件类型: PDF 大小:64 KB
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100B 数据手册
BUK456-1000B是Philips Semiconductors公司生产的一款N沟道增强型场效应功率晶体管，封装形式为TO220AB。该器件适用于开关电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器等应用场合。
文件类型: PDF 大小:64 KB
PHILIPS PowerMOS transistor BUK455-60A/B 数据手册
BUK455-60A/B是一种功率场效应晶体管，用于开关模式电源、电机控制、焊接和DC/DC、AC/DC转换器等应用。它具有60V的漏源电压、41A的漏电流、125W的总功耗和175°C的结温。
文件类型: PDF 大小:55 KB