飞利浦说明书大全
PHILIPS BZV55 series 数据手册
本文档介绍了BZV55系列电压稳压二极管的特点和特性，包括总功耗、容差系列、工作电压范围和非重复峰值反向功耗等。
文件类型: PDF 大小:63 KB
PHILIPS BZV49 series 数据手册
BZV49系列是Philips Semiconductors生产的一种中功率稳压二极管，封装为SOT89塑料SMD，工作电压范围为2.4至75V，额定功率为1W，非重复峰值反向功耗为40W。
文件类型: PDF 大小:58 KB
PHILIPS BZV37 Bidirectional voltage regulator diode 数据手册
该数据手册介绍了PHILIPS半导体的产品BZV37的特点特性。BZV37是低功率双向稳压二极管，其额定工作电压为6.5V，非重复峰值反向功耗为40W。该二极管可用于电压稳定器和瞬态保护元件。
文件类型: PDF 大小:27 KB
PHILIPS BF998WR N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册
BF998WR是菲利普半导体公司生产的N沟道双栅MOS-FET，具有高正向传输导纳、短沟道特性和高正向传输导纳与输入电容比，应用于VHF和UHF应用场合，如电视调谐器和专业通信设备。
文件类型: PDF 大小:99 KB
philips BF991 N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册
BF991是飞利浦公司生产的一款N沟道双栅极MOS-FET，其特点是具有过压保护功能，应用于VHF电视调谐器和FM调谐器等设备。
文件类型: PDF 大小:39 KB
philips BF992 Silicon N-channel dual gate MOS-FET 数据手册
BF992是Philips生产的一种N沟道双栅MOS-FET，适用于12V供电的VHF电视调谐器和FM调谐器等应用
文件类型: PDF 大小:67 KB
philips BF990A N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册
BF990A是一种N通道双栅MOS-FET，具有集成的反向二极管来保护免受过高输入电压的冲击。适用于RF应用，如12V供电的电视调谐器和专业通信设备。
文件类型: PDF 大小:66 KB
philips BF989 N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册
BF989 是 Philips 生产的 N 沟道双栅 MOS-FET，具有过度输入电压浪涌保护功能，应用于 UHF 电视调谐器和专业通信设备中。
文件类型: PDF 大小:62 KB
飞利浦 BF904A; BF904AR; BF904AWR 数据手册
BF904A是菲利普斯公司生产的N沟道双栅极MOS-FET，适用于3至7伏电源电压的VHF和UHF应用，例如电视调谐器和专业通信设备。
文件类型: PDF 大小:119 KB
飞利浦 BF901; BF901R 数据手册
BF901是Philips Semiconductors生产的一种硅N沟道双栅极MOS-FET，适用于UHF和VHF应用，如电视调谐器和专业通信设备，特别适用于低电压操作。
文件类型: PDF 大小:50 KB
飞利浦 BF904; BF904R 数据手册
N-channel dual gate MOS-FETs BF904; BF904R 是 Philips Semiconductors 公司生产的一种增强型场效应晶体管，它具有专门为 5 V 供电电压设计、高转移电导与输入电容比率的短沟道晶体管、低噪声增益控制放大器和高于 1 GHz 的跨调制性能等特点。
文件类型: PDF 大小:116 KB
飞利浦 BF904WR 数据手册
BF904WR是一种N通道双栅MOS-FET，适用于5V供电电压，具有高前向传输导纳与输入电容比的短通道晶体管，可在1GHz范围内实现低噪声增益可控放大器，具有卓越的自动增益控制期间的交叉调制性能。
文件类型: PDF 大小:112 KB
飞利浦 BF908; BF908R 数据手册
BF908和BF908R是Philips Semiconductors生产的具有高前向转移电导率和高前向转移电导率与输入电容比的短沟道双栅MOS-FET，可用于12V电源电压的VHF和UHF应用，如电视调谐器和专业通信设备。
文件类型: PDF 大小:82 KB
飞利浦 BF908WR 数据手册
BF908WR是菲利普斯半导体生产的N沟道双栅MOS-FET，该产品具有高前向传输电导率、短沟道晶体管、高前向传输电导率与输入电容比、低噪声增益控制放大器等特点，适用于12V供电电压的VHF和UHF应用场景，如电视调谐器和专业通信设备。
文件类型: PDF 大小:99 KB
飞利浦 BF909; BF909R 数据手册
BF909是菲利普斯半导体生产的N沟道双栅极MOS-FET，专为使用5V电源电压而设计。它具有高前向传输功率因数、高前向传输功率因数与输入电容比以及低噪声增益受控放大器等特点。BF909适用于3至7V电源电压的VHF和UHF应用，如电视调谐器和专业通信设备。
文件类型: PDF 大小:153 KB
飞利浦 BF909WR 数据手册
BF909WR是一款N沟道双栅MOS-FET，专为5V供电电压设计。具有高正向传输导纳与输入电容比的短通道晶体管，可在1 GHz范围内提供低噪声增益控制放大器。在自动增益控制期间具有优越的交调性能。适用于3至7V供电电压的VHF和UHF应用，如电视调谐器和专业通信设备。
文件类型: PDF 大小:168 KB
PHILIPS PCF5083 GSM signal processing IC 数据手册
PCF5083是飞利浦生产的GSM信号处理IC，它用于手机中的GSM芯片组中，主要负责控制手机的开关机、频率设置、增益控制等功能
文件类型: PDF 大小:471 KB
PHILIPS PCF5079 Dual-band power amplifier controller for GSM, PCN and DCS 数据手册
PCF5079是飞利浦半导体生产的双频功率放大器控制器，适用于GSM、PCN和DCS网络。
文件类型: PDF 大小:145 KB
PHILIPS PCF5078 Power amplifier controller for GSM and PCN systems 数据手册
PCF5078是Philips Semiconductors生产的一款用于GSM和PCN系统的电源放大器控制器，具有兼容baseband接口系列PCF5073x、两个功率传感器输入、温度补偿、DAC输入的活性滤波器、保护PA（功率放大器）免受失配的影响、探测二极管的电流源、为PA在开始突发（主控位置）时产生预偏置电平、通过外部组件适应主控位置、适用于各种硅和GaAs功率放大器等特性。
文件类型: PDF 大小:102 KB