飞利浦说明书大全

这份文件介绍了BGA2012 1900 MHz高线性低噪声放大器的特点和特性。

文件类型: PDF 大小:82 KB

BGA2011是一款900MHz高线性低噪声放大器，具有低电流、低电压、高线性、高功率增益、低噪声、集成温度补偿偏置、控制引脚用于调节偏置电流等特点。

文件类型: PDF 大小:85 KB

BGA2003是菲利浦半导体的一款硅MMIC放大器，具有低电流、高功率增益、低噪声系数等特点，适用于射频前端、宽带应用、低噪声放大器、卫星电视调谐器和高频振荡器等场合。

文件类型: PDF 大小:104 KB

BGA2001是PHILIPS生产的一种硅MMIC放大器，具有低电流、低电压、非常高的功率增益、低噪声系数、集成温度补偿偏置、电源和RF输出引脚组合等特点，应用于RF前端、宽带应用、雷达探测器、低噪声放大器、卫星电视调谐器（SATV）、高频振荡器等

文件类型: PDF 大小:98 KB

P89C60X2/61X2是一款80C51 8位闪存微控制器系列，包含64KB闪存和512B/1024B RAM。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有高性能和静态设计，支持12时钟和6时钟操作。

文件类型: PDF 大小:344 KB

89C51/89C52/89C54/89C58是Philips生产的80C51 8位微控制器系列，包含4K/8K/16K/32K的FLASH存储器，具有并行编程功能。

文件类型: PDF 大小:276 KB

89C536/89C538是基于80C51指令集的单片8位微控制器，具有16K/64K/512 FLASH存储器，4个8位I/O口，3个16位定时器/计数器，多源双级中断结构，UART串口和片内振荡器和定时电路。

文件类型: PDF 大小:207 KB

89C535/89C536/89C538 是 Philips 生产的单片 8 位微控制器，由高级 CMOS 工艺制造，是 80C51 微控制器家族的衍生产品。所有设备的功能指令集与 80C51 相同。设备还具有四个 8 位 I/O 端口、三个 16 位计时器/事件计数器、多源、两级优先级、嵌套中断结构、UART 和片上振荡器和定时电路。对于需要额外数据存储能力达 64k 字节的系统，每个系统都可以使用标准 TTL 兼容存储器和逻辑进行扩展。89C535/89C536/89C538 包含非易失性 FLASH EPROM 程序存储器 (8K 字节在 89C535 中，16k 字节在 89C536 中，64k 字节在 89C538 中)。设备具有 512 字节的 RAM 数据存储器。

文件类型: PDF 大小:207 KB

该数据表格介绍了AU211/LM111/211/311/311B电压比较器的产品信息，包括输入电流、工作电压、输出电流等。

文件类型: PDF 大小:81 KB

该文档介绍了飞利浦半导体的P89C51X2/52X2/54X2/58X2系列80C51 8位Flash微控制器家族的特点和特性，包括Flash程序存储器、RAM、I/O口、计数器/定时器、中断结构、串行I/O口、时钟电路等。

文件类型: PDF 大小:323 KB

89c51是飞利浦半导体的8位单片微控制器，采用先进的CMOS工艺制造，是80c51微控制器家族的衍生产品。该系列产品具有80c51相同的指令集，具有4k/8k/16k/32k的FLASH程序存储器，可并行编程。

文件类型: PDF 大小:276 KB

P89C51RA2xx/RB2xx/RC2xx/RD2xx 是 80C51 8 位 Flash 微控制器系列，包括 8KB/16KB/32KB/64KB ISP/IAP Flash 和 512B/512B/512B/1KB RAM。

文件类型: PDF 大小:406 KB

该文件介绍了Philips Semiconductors公司生产的89C51RB2/89C51RC2/89C51RD2系列80C51 8位Flash微控制器，具有16KB/32KB/64KB的ISP/IAP Flash和512B/512B/1KB的RAM。该系列产品支持In-System Programming（ISP）和In-Application Programming（IAP）功能，可以在应用中进行代码下载和远程编程。

文件类型: PDF 大小:308 KB

89C51RC+、P89C51RD+是Philips Semiconductors生产的80C51 8位Flash微控制器系列，分别具有32K/64K ISP FLASH和512–1K RAM

文件类型: PDF 大小:298 KB

89C51/89C52/89C54/89C58是80C51 8位微控制器系列，具有4K/8K/16K/32K闪存

文件类型: PDF 大小:240 KB

这是一款80C51 8位Flash微控制器系列，16KB/32KB/64KB ISP/IAP Flash与512B/512B/1KB RAM

文件类型: PDF 大小:325 KB

PBSS9110T是菲利浦半导体公司推出的一款100V，1A PNP低VCEsat（BISS）晶体管。该晶体管具有SOT23封装，低集电极-发射极饱和电压VCEsat，高集电极电流能力（IC和ICM），更高的效率导致更少的热量产生。主要应用领域包括汽车42V电源、电信基础设施和工业。该晶体管还可用于DC-DC转换、外围驱动器以及低电源电压应用（如灯和LED）和感性负载驱动器（如继电器、蜂鸣器和电机）。

文件类型: PDF 大小:97 KB

PBSS8110Z 100V, 1A NPN low VCEsat (BISS) 晶体管是一款低 VCEsat 晶体管，封装形式为 SOT223 (SC-73)，具有 SOT223 封装、低集电-发射器饱和电压 VCEsat、高集电电流能力 IC 和 ICM、高效率等特点，主要应用于汽车 42V 电源、电信基础设施、工业等领域，还可用于 DC-to-DC 转换器、外围驱动器、低电源电压应用（例如灯和 LED）以及感性负载驱动器（例如继电器、蜂鸣器和电机）。

文件类型: PDF 大小:91 KB

PBSS8110X是飞利浦半导体推出的一款低Vcesat的NPN型BISS晶体管，封装为SOT89（SC-62/TO-243），具有SOT89封装、低集电极发射极饱和电压Vcesat、高集电流能力IC和ICM、高效率等特点，主要应用于汽车42V电源、电信基础设施、工业等领域，还可用于低电压应用（例如灯和LED）的驱动器、感性负载驱动器（例如继电器、蜂鸣器和电机）和DC-DC转换器。

文件类型: PDF 大小:125 KB

PBSS8110T是Philips Semiconductors生产的一款100V、1A NPN低VCEsat(BISS)晶体管，具有SOT23封装、低集电极-发射极饱和电压VCEsat、高集电流能力、更高的效率和更少的热量生成等特点，适用于汽车42V电源、电信基础设施、工业、电源管理、DC/DC转换器、电源线开关、电池充电器、LCD背光等应用领域。

文件类型: PDF 大小:124 KB