三星说明书大全
SAMSUNG S5T3170 DATA SHEET
S5T3170是一款低功耗DTMF接收器，采用低功耗CMOS和开关电容滤波器技术制造。该LSI由带通分离滤波器组成，分离计数段，在将相应的代码传递到输出总线之前验证接收到的音调的频率和持续时间。它将所有16个DTMF音调对解码为4位数字代码。通过芯片上提供差分输入AMP、时钟振荡器和锁存三态接口，最小化了外部所需的组件。芯片上的时钟发生器仅需要低成本的电视晶体作为外部组件。
文件类型: PDF 大小:143 KB
SAMSUNG KA22900/D DATA SHEET
这份PDF文件介绍了Rohde & Schwarz PQA100和PQA200系列的产品，这些产品是高性能的频谱分析仪，可用于各种应用，包括射频测试、信号分析、电力质量分析和电信测试。该文件详细介绍了这些产品的特点和特性，包括频率范围、采样率、分辨率和动态范围。
文件类型: PDF 大小:243 KB
Samsung MultiMediaCard Specification
本文件是有关MultiMediaCard的规格说明文件，主要介绍了MultiMediaCard的功能、特点、特性，以及订购信息等。
文件类型: PDF 大小:1425 KB
Samsung KM6164000B Family Data Sheet
该数据表提供了KM6164000BL-L 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM产品的详细信息，包括产品的封装类型、引脚排列、管脚功能、接口、电源、供电电压、工作温度范围、存储温度范围、数据保持时间、数据保持电压、静态电流、动态电流、功耗、相应时序等。
文件类型: PDF 大小:109 KB
Samsung K7N803601B K7N801801B Data Sheet
256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM是韩国三星电子生产的一款内存芯片，适用于3.3V电压，最高频率可达167MHz。
文件类型: PDF 大小:379 KB
Samsung K4S643232F Data Sheet
K4S643232F是一款64M x 32位SDRAM，由三星生产，支持4个512K x 32位存储器组，工作电压为3.3V。
文件类型: PDF 大小:74 KB
Samsung K4S643232E Data Sheet
该文件介绍了一款名为K4S643232E的CMOS SDRAM产品，具有高数据传输率、同步设计、可编程的传输长度和延迟等特点，适用于高带宽、高性能的内存系统应用。
文件类型: PDF 大小:79 KB
Samsung 256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM Data Sheet
该文件介绍了DDR SDRAM 256MB、512MB和1GB Registered DIMM的规格和特性。这些模块采用256Mb E-die (x4, x8)技术，具有72位ECC校验和1,700 / 1,200mil高度。供应商查询信息包括不同容量和组织的模块的型号和规格。
文件类型: PDF 大小:450 KB
Samsung M366S2953MTS SDRAM DIMM Data Sheet
Samsung M366S2953MTS是一种64M位x 64同步动态RAM高密度内存模块。它具有同步设计，可实现精确的周期控制。可用于各种高带宽、高性能内存系统应用。
文件类型: PDF 大小:89 KB
Samsung S1M8831A/33 Data Sheet
S1M8831A/33是一款支持RF和IF频率合成的器件，支持1.2GHz的RF频率和520MHz的IF频率。它采用了∑-∆分数-N技术，可以解决其他分数-N合成器中充电泵补偿带来的分数杂散问题。该器件支持10kHz步长的PCS/CDMA频道频率编程。
文件类型: PDF 大小:256 KB
三星 OneNAND256(KFG5616x1A-xxB6) FLASH MEMORY 数据手册
OneNAND256(KFG5616x1A-xxB6)闪存是三星电子公司的产品，包含密度、型号、电源、温度、封装等信息
文件类型: PDF 大小:1397 KB
Samsung 128MB, 256MB SODIMM Data Sheet
M470L1624FT0-C(L)B3/A2/B0 是三星推出的一款 128MB 的 DDR SDRAM SODIMM 内存条，它使用 256Mb F-die 芯片，支持 64 位和 72 位数据宽度，频率为 133MHz 和 166MHz，时序为 2.5-3-3 和 2.5-3-3。
文件类型: PDF 大小:265 KB
Samsung M366S1723DTS Data Sheet
Samsung M366S1723DTS PC133/PC100 Unbuffered DIMM 是一款16M 位 x 64 同步动态随机存储器高密度内存模块。
文件类型: PDF 大小:97 KB
SAMSUNG Electronics KS88C4616/C4632/P4632 数据手册
该文件介绍了韩国三星电子有限公司推出的KS88C4616/C4632系列单片8位CMOS微控制器的特点和特性。该系列微控制器具有快速高效的CPU、多种集成外设和可编程ROM等特点。
文件类型: PDF 大小:250 KB
SAMSUNG KM416C4000C,KM416C4100C CMOS DRAM 数据手册
KM416C4000C 和 KM416C4100C 是两个 CMOS DRAM 芯片，它们都是 4Mx16 位 Fast Page Mode DRAM，具有高速随机访问内存单元的能力。它们的刷新周期（4K Ref. 或 8K Ref.）和访问时间（-5 或 -6）都是可选的，并且它们都具有 CAS-before-RAS 刷新、RAS-only 刷新和 Hidden 刷新功能。这些芯片使用 Samsung 的先进 CMOS 工艺制造，实现了高带宽、低功耗和高可靠性。
文件类型: PDF 大小:601 KB
SAMSUNG K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F February 2004 Mobile-SDRAM 数据手册
K4S641633H是三星生产的一种移动内存芯片，它采用同步设计，可提供精确的时钟控制，并且支持范围广泛的操作频率、可编程突发长度和可编程延迟。它可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
文件类型: PDF 大小:111 KB
SAMSUNG Electronics DDR SDRAM Specification Version 1.0 数据手册(1)
该文档是一份DDR SDRAM DDR SDRAM规范的版本历史记录，介绍了该产品的不同版本和修订内容。
文件类型: PDF 大小:458 KB
SAMSUNG KM68B261A BiCMOS SRAM 数据手册
KM68B261A是一种262,144位高速静态随机存取存储器，采用32,768字8位的组织方式。该产品具有快速访问时间、低功耗待机、单一5V电源供应等特点，适用于高密度高速系统应用。
文件类型: PDF 大小:76 KB
Samsung K6E0808C1E-C/E-L, K6E0808C1E-I/E-P Data Sheet
这是一款32Kx8位高性能CMOS静态RAM，工作电压为5V，适用于商用和工业温度范围。
文件类型: PDF 大小:182 KB