三星说明书大全
Samsung K9F2808U0C-VCB0,VIB0 Data Sheet
该数据表格是关于SAMSUNG K9F2816U0C-YCB0,YIB0 FLASH MEMORY的规格参数表，包括产品名称、型号、封装、引脚排列、接口、供应商、供应商链接、引脚功能、封装尺寸、封装体积、封装材料、典型值、最大值、最小值、备注等信息
文件类型: PDF 大小:591 KB
Samsung K9F2808Q0B-DCB0,DIB0 Data Sheet
该文档介绍了三星电子的16M x 8位NAND闪存存储器的规格和特性。文档详细描述了K9F2808U0B和K9F2808Q0B系列产品的技术参数，包括工作电流、编程和擦除时间等。同时提供了产品的修订历史。
文件类型: PDF 大小:327 KB
SAMSUNG ELCTRONICS 1Gb 1.8V NAND Flash Errata
这份文件是关于SAMSUNG 11Gb 1.8V NAND Flash Errata的说明书，该文件提供了产品的功能特点、规格参数等信息。
文件类型: PDF 大小:725 KB
Samsung K9F1G08R0A Data Sheet
This document is the datasheet of K9F1G08U0A K9F1G08R0A K9K2G08U1A NAND Flash Memory. It provides the features and characteristics of the products.
文件类型: PDF 大小:903 KB
Samsung K9F1G08U0A K9F1G08R0A K9K2G08U1A Data Sheet
该文档介绍了三款闪存产品的规格和特性，包括K9F1G08U0A、K9F1G08R0A和K9K2G08U1A。文档提供了产品的修订历史，包括技术笔记和AC时序特性的说明。
文件类型: PDF 大小:903 KB
三星 1Gb 1.8V NAND Flash Errata 说明书
某些AC特性不符合规范，受影响的产品包括K9F1G08Q0M-YCB0/YIB0, K9F1G16Q0M-YCB0/YIB0 K9K2G08Q0M-YCB0/YIB0, K9K2G16Q0M-YCB0/YIB0。
文件类型: PDF 大小:725 KB
三星 K9F1G08Q0M/K9F1G16Q0M/K9F1G08D0M/K9F1G16D0M/K9F1G08U0M/K9F1G16U0M 数据手册
128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory 数据手册
文件类型: PDF 大小:739 KB
三星 K9F1608W0A-TCB0, K9F1608W0A-TIB0 FLASH MEMORY 数据手册(1)
K9F1608W0A-TCB0, K9F1608W0A-TIB0 FLASH MEMORY是韩国三星电子公司生产的一款2Mx8Bit NAND Flash Memory。
文件类型: PDF 大小:326 KB
三星 K9F1608W0A-TCB0, K9F1608W0A-TIB0 FLASH MEMORY 数据手册(1)(1)
2M x 8位NAND闪存，用于固态存储市场。该闪存具有264字节页的编程和4K字节块的擦除功能。
文件类型: PDF 大小:326 KB
三星 K9F1208D0A/K9F1208U0A/K9F1216D0A/K9F1216U0A 数据手册(2)
该数据表提供了64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory的详细信息，包括产品参数、封装形式、引脚图等。
文件类型: PDF 大小:752 KB
三星 K9F1208D0A/K9F1208U0A/K9F1216D0A/K9F1216U0A 数据手册(1)
该文件是关于SAMSUNG Electronics生产的64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory的技术资料。文件介绍了产品的规格和特性，并提供了修订历史和联系方式。
文件类型: PDF 大小:752 KB
三星 K9F1216U0A/K9F1208U0A FLASH MEMORY 数据手册
K9F1208U0A和K9F1216U0A是三星电子生产的64M x 8比特和32M x 16比特的NAND闪存芯片，支持1.8V和3.3V供电。
文件类型: PDF 大小:983 KB
三星 K4S643232C CMOS SDRAM 数据手册
K4S643232C是一款67,108,864位同步高数据速率动态随机存储器，由4 x 524,288个字和32位组成，使用SAMSUNG高性能CMOS技术制造。同步设计允许通过使用系统时钟进行精确的周期控制。I/O交易可以在每个时钟周期上进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许相同的设备用于各种高带宽、高性能存储器系统应用。
文件类型: PDF 大小:777 KB
三星 SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16) 数据手册
K4S560432E / K4S560832E / K4S561632E是268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，以4 x 16,785,216 / 4 x 8,392,608 / 4 x 4,196,304字节组织为4位，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期中进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备用于各种高速应用。
文件类型: PDF 大小:213 KB
三星 SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16) CMOS SDRAM 数据手册(1)(1)
该文档详细介绍了三星256Mb E-die SDRAM 的型号、频率、接口、封装等信息
文件类型: PDF 大小:210 KB
三星 K4S283233F - F(H)E/N/G/C/L/F February 2004 Mobile-SDRAM 说明书
K4S283233F是一种同步的高数据速率动态随机存取存储器，具有3.0V和3.3V电源供应，LVCMOS兼容的复用地址，四个银行操作，MRS周期和EMRS周期等特点。
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