三星说明书大全
Samsung K4S283233F - F(H)E/N/G/C/L/F Data Sheet
K4S283233F is a 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 32 bits, fabricated with SAMSUNG’s high performance CMOS technol- ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock and I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst lengths and programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth and high per- formance memory system applications.
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Samsung 8Mx16 SDRAM 54CSP Data Sheet(1)
K4S281633D-RL(N) Rev. 0.6是2001年11月发布的CMOS SDRAM，带有8Mx16、54CSP、VDD/VDDQ 3.0V/3.0V & 3.3V/3.3V等特性
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Samsung 8Mx16 SDRAM 54CSP Data Sheet
K4S281633D-RL(N) Rev. 0.6 Nov. 2001 CMOS SDRAM Preliminary 8Mx16 Revision 0.6 November 2001 SDRAM 54CSP (VDD/VDDQ 3.0V/3.0V & 3.3V/3.3V)
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Samsung 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL Data Sheet(1)(1)
K4S281632M是三星公司生产的一款2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM，它具有JEDEC标准3.3V电源供应、LVTTL兼容和四个存储器操作功能。
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Samsung 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL Data Sheet(1)
K4S281632M是134,217,728位同步高数据速率动态随机存储器，以4 x 2,097,152字节x 16位组织，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期上进行。工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许相同设备在各种高带宽、高性能内存系统应用中发挥作用。
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Samsung S3C72M5/C72M7/C72M9/P72M9 (Preliminary Spec) Data Sheet(1)(1)
S3C72M5/C72M7/C72M9 是三星最新推出的单片 CMOS 微控制器，采用了 SAM47（Samsung Arrangeable Microcontrollers）最新的 4 位 CPU 核心，具有高性能和低功耗的特点。S3C72M5/C72M7/C72M9 具有 80 SEG × 16 COM、88 SEG × 8 COM 的液晶显示器控制器/驱动器，以及 3,584 × 4 位 RAM、16,384/24,576/32,768 × 8 位 ROM、51 个 I/O 引脚和 9 个向量中断。
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Samsung S3C72M5/C72M7/C72M9/P72M9 (Preliminary Spec) Data Sheet(1)
S3C72M5/C72M7/C72M9/P72M9是韩国三星公司推出的单片CMOS微控制器，采用最新的SAM47(Samsung Arrangeable Microcontrollers) CPU内核，具有高性能、高集成度的特点。该系列产品带有1280点LCD直接驱动能力、段扩展电路、8位和16位定时器/计数器、串行I/O等功能，适用于各种需要LCD功能的应用场合。
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Samsung K4S280832B Data Sheet (1)(1)
K4S280832B是韩国三星生产的一款CMOS SDRAM，该数据手册介绍了该产品的引脚定义、功能说明、工作原理等信息。
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SAMSUNG K4S280832A 数据手册
K4S280832A是一种128Mbit同步高数据速率动态随机存取存储器(SDRAM)，以4 x 4,194,304字节x 8位组织，由三星的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期上发生。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一个器件用于各种高带宽、高性能内存系统应用。
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SAMSUNG K4S280832A 数据手册
K4S280832A是三星128Mbit SDRAM，采用4 x 4,194,304 words by 8 bits的组织方式，采用SAMSUNG高性能CMOS技术制造。该器件支持多种操作频率、可编程突发长度和可编程时序，可用于多种高带宽、高性能存储系统应用。
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SAMSUNG K4S280432M 数据手册(1)(1)
K4S280432M是SAMSUNG生产的一款8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM，采用LVTTL电源，工作频率范围为66MHz-125MHz，支持1-8页突发长度和2-3个CAS延迟。
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SAMSUNG K4S280432M 数据手册(1)
K4S280432M CMOS SDRAM 是128Mbit SDRAM，组织为4 x 8,388,608 words by 4 bits，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术。
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SAMSUNG SDRAM 128Mb F-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)
此文档是SAMSUNG 128Mb F-die SDRAM 规格书的预览版本，详细介绍了产品的特点特性
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SAMSUNG SDRAM 128Mb F-die (x4, x8, x16)数据手册
本文件是一份关于K4S280432F/K4S280832F/K4S281632F的技术规格说明书，介绍了该产品的特点特性，包括存储容量、接口、封装等信息。
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SAMSUNG SDRAM 128Mb F-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)(1)
128Mb F-die SDRAM Specification
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三星 128Mb E-die SDRAM Specification 说明书
该文档介绍了三款SDRAM产品，分别为K4S280432E、K4S280832E和K4S281632E。它们都是由三星电子采用高性能CMOS技术制造的同步高速动态RAM。这些产品具有精确的周期控制和可编程的传输长度和延迟时间，适用于各种高带宽、高性能的内存系统。
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